يشترى DSEI30-12A مع BYCHPS
شراء مع ضمان
DSEI30-12A
- رقم القطعة:
- DSEI30-12A
- الصانع:
- IXYS Corporation
- وصف:
- DIODE GEN PURP 1.2KV 26A TO247AD
- حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- الكمية المتوفرة:
- 14213 Pieces
- ورقة البيانات:
- DSEI30-12A.pdf
المقدمة
BYCHIPS هو الموزع تخزين ل DSEI30-12A ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك DSEI30-12A عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
مواصفات
| الجهد - إلى الأمام (فودافون) (ماكس) @ إذا: | 2.55V @ 30A |
|---|---|
| الجهد - العاصمة عكسي (VR) (ماكس): | 1200V (1.2kV) |
| تجار الأجهزة حزمة: | TO-247AD |
| سرعة: | Fast Recovery = 200mA (Io) |
| سلسلة: | - |
| عكس وقت الاسترداد (TRR): | 60ns |
| التعبئة والتغليف: | Tube |
| حزمة / كيس: | TO-247-2 |
| اسماء اخرى: | DSEI3012A |
| درجة حرارة التشغيل - تقاطع: | -40°C ~ 150°C |
| تصاعد نوع: | Through Hole |
| الصانع المهلة القياسية: | 8 Weeks |
| الصانع الجزء رقم: | DSEI30-12A |
| وصف موسع: | Diode Standard 1200V (1.2kV) 26A Through Hole TO-247AD |
| نوع الصمام الثنائي: | Standard |
| وصف: | DIODE GEN PURP 1.2KV 26A TO247AD |
| التيار - عكس تسرب @ الواقع الافتراضي: | 750µA @ 1200V |
| الحالي - متوسط مصحح (أيو): | 26A |
| السعة @ الواقع الافتراضي، F: | - |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لDSEI30-12A
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
DSEI30-06A | IXYS | DIODE GEN PURP 600V 37A TO247AD | تحقيق |
 |
DSEI36-06AS-TUBE | IXYS | DIODE GEN PURP 600V 37A TO263AB | تحقيق |
|
DSEI36-06AS-TUB | IXYS | DIODE GEN PURP 600V 37A TO263AB | تحقيق |
 |
1N4148TA | Fairchild/ON Semiconductor | DIODE GEN PURP 100V 200MA DO35 | تحقيق |
 |
AU3PG-M3/87A | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE AVALANCHE 400V 1.7A TO277A | تحقيق |
 |
RSX301LA-30TR | Rohm Semiconductor | DIODE SCHOTTKY 30V 3A PMDT | تحقيق |
 |
S3D-13 | Diodes Incorporated | DIODE GEN PURP 200V 3A SMC | تحقيق |
 |
A451PN | Powerex Inc. | DIODE MODULE 1.8KV 2500A DO200AC | تحقيق |
 |
DSEI30-10AR | IXYS | DIODE GEN 1KV 30A ISOPLUS247 | تحقيق |
|
R7201606XXOO | Powerex Inc. | DIODE MODULE 1.6KV 600A DO200AB | تحقيق |
 |
UPS315/TR13 | Microsemi Corporation | DIODE SCHOTTKY 15V 3A POWERMITE | تحقيق |
 |
DL4004 | Micro Commercial Co | DIODE GEN PURP 400V 1A MELF | تحقيق |
 |
S210FA | Fairchild/ON Semiconductor | DIODE SCHOTTKY 100V 2A SOD123FA | تحقيق |
|
DSEI30-10A | IXYS | DIODE GEN PURP 1KV 30A TO247AD | تحقيق |
 |
MBRB1645HE3/45 | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE SCHOTTKY 45V 16A TO263AB | تحقيق |
 |
HSM390J/TR13 | Microsemi Corporation | DIODE SCHOTTKY 90V 3A DO214AB | تحقيق |
|
AR4PKHM3/87A | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE AVALANCHE 800V 1.8A TO277A | تحقيق |
Latest الأخبار
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI to reduce costs in Wireless business; OMAP™ processors and wireless connectivity solutions will focus on embedded markets
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers