يشترى DMT8012LFG-7 مع BYCHPS
شراء مع ضمان
DMT8012LFG-7
- رقم القطعة:
- DMT8012LFG-7
- الصانع:
- Diodes Incorporated
- وصف:
- MOSFET N-CH 80V 9.5A PWDI3333-8
- حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- الكمية المتوفرة:
- 13122 Pieces
- ورقة البيانات:
- DMT8012LFG-7.pdf
المقدمة
BYCHIPS هو الموزع تخزين ل DMT8012LFG-7 ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك DMT8012LFG-7 عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
مواصفات
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد: | 3V @ 250µA |
|---|---|
| فغس (ماكس): | ±20V |
| تكنولوجيا: | MOSFET (Metal Oxide) |
| تجار الأجهزة حزمة: | PowerDI3333-8 |
| سلسلة: | - |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS: | 16 mOhm @ 12A, 10V |
| تبديد الطاقة (ماكس): | 2.2W (Ta), 30W (Tc) |
| التعبئة والتغليف: | Tape & Reel (TR) |
| حزمة / كيس: | 8-PowerWDFN |
| اسماء اخرى: | DMT8012LFG-7DITR |
| درجة حرارة التشغيل: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| تصاعد نوع: | Surface Mount |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع المهلة القياسية: | 16 Weeks |
| الصانع الجزء رقم: | DMT8012LFG-7 |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس: | 1949pF @ 40V |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس: | 34nC @ 10V |
| نوع FET: | N-Channel |
| FET الميزة: | - |
| وصف موسع: | N-Channel 80V 9.5A (Ta), 35A (Tc) 2.2W (Ta), 30W (Tc) Surface Mount PowerDI3333-8 |
| محرك الجهد (ماكس رديز على، دقيقة رديز على): | 6V, 10V |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss): | 80V |
| وصف: | MOSFET N-CH 80V 9.5A PWDI3333-8 |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C: | 9.5A (Ta), 35A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لDMT8012LFG-7
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
DMT8012LK3-13 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 80V 9.5A TO252 | تحقيق |
 |
VS-FB180SA10P | Vishay Semiconductor Diodes Division | MOSFET N-CH 100V 180A SOT-227 | تحقيق |
 |
FQB5N40TM | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 400V 4.5A D2PAK | تحقيق |
 |
IPP60R120C7XKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V 19A TO220-3 | تحقيق |
 |
DMT8012LFG-13 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 80V 9.5A PWDI3333-8 | تحقيق |
 |
FDPF7N50U_G | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 500V 5A TO-220F | تحقيق |
 |
AO4488L_101 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | MOSFET P-CH 8SOIC | تحقيق |
 |
DMT8012LPS-13 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 80V 9A PWRDI5060-8 | تحقيق |
|
DMT8012LSS-13 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CHA 80V 9.7A SO8 | تحقيق |
 |
GP1M006A065FH | Global Power Technologies Group | MOSFET N-CH 650V 5.5A TO220F | تحقيق |
 |
SIHW33N60E-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 600V 33A TO-247AD | تحقيق |
Latest الأخبار
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog