DMNH10H028SK3Q-13
DMNH10H028SK3Q-13
رقم القطعة:
DMNH10H028SK3Q-13
الصانع:
Diodes Incorporated
وصف:
MOSFET N-CH 100V 55A TO252
حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
الكمية المتوفرة:
16179 Pieces
ورقة البيانات:
DMNH10H028SK3Q-13.pdf

المقدمة

BYCHIPS هو الموزع تخزين ل DMNH10H028SK3Q-13 ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك DMNH10H028SK3Q-13 عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
يشترى DMNH10H028SK3Q-13 مع BYCHPS
شراء مع ضمان

مواصفات

VGS (ال) (ماكس) @ إيد:4V @ 250µA
فغس (ماكس):±20V
تكنولوجيا:MOSFET (Metal Oxide)
تجار الأجهزة حزمة:TO-252
سلسلة:-
RDS على (ماكس) @ إيد، VGS:28 mOhm @ 20A, 10V
تبديد الطاقة (ماكس):2W (Ta)
التعبئة والتغليف:Tape & Reel (TR)
حزمة / كيس:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
اسماء اخرى:DMNH10H028SK3Q-13DITR
درجة حرارة التشغيل:-55°C ~ 175°C (TJ)
تصاعد نوع:Surface Mount
مستوى حساسية الرطوبة (مسل):1 (Unlimited)
الصانع المهلة القياسية:14 Weeks
الصانع الجزء رقم:DMNH10H028SK3Q-13
مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس:2245pF @ 50V
غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس:36nC @ 10V
نوع FET:N-Channel
FET الميزة:-
وصف موسع:N-Channel 100V 55A (Tc) 2W (Ta) Surface Mount TO-252
محرك الجهد (ماكس رديز على، دقيقة رديز على):10V
استنزاف لجهد المصدر (Vdss):100V
وصف:MOSFET N-CH 100V 55A TO252
الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C:55A (Tc)
Email:[email protected]

سريع طلب اقتباس

رقم القطعة
كمية
شركة
البريد الإلكتروني
هاتف
تعليقات