يشترى DMN3135LVT-7 مع BYCHPS
شراء مع ضمان
DMN3135LVT-7
- رقم القطعة:
- DMN3135LVT-7
- الصانع:
- Diodes Incorporated
- وصف:
- MOSFET 2N-CH 30V 3.5A TSOT26
- حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- الكمية المتوفرة:
- 16670 Pieces
- ورقة البيانات:
- DMN3135LVT-7.pdf
المقدمة
BYCHIPS هو الموزع تخزين ل DMN3135LVT-7 ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك DMN3135LVT-7 عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
مواصفات
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد: | 2.2V @ 250µA |
|---|---|
| تجار الأجهزة حزمة: | TSOT-26 |
| سلسلة: | - |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS: | 60 mOhm @ 3.1A, 10V |
| السلطة - ماكس: | 840mW |
| التعبئة والتغليف: | Tape & Reel (TR) |
| حزمة / كيس: | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
| اسماء اخرى: | DMN3135LVT-7DITR DMN3135LVT7 |
| درجة حرارة التشغيل: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| تصاعد نوع: | Surface Mount |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع المهلة القياسية: | 8 Weeks |
| الصانع الجزء رقم: | DMN3135LVT-7 |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس: | 305pF @ 15V |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس: | 4.1nC @ 4.5V |
| نوع FET: | 2 N-Channel (Dual) |
| FET الميزة: | Logic Level Gate |
| وصف موسع: | Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 3.5A 840mW Surface Mount TSOT-26 |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss): | 30V |
| وصف: | MOSFET 2N-CH 30V 3.5A TSOT26 |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C: | 3.5A |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لDMN3135LVT-7
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
SQJQ904E-T1_GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET ARRAY 2N-CH 40V PWRPAK8X8 | تحقيق |
 |
DMN3150L-7 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 28V 3.2A SOT23-3 | تحقيق |
 |
DMN3112SSS-13 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 30V 6A 8SOP | تحقيق |
 |
DMN601DMK-7 | Diodes Incorporated | MOSFET 2N-CH 60V 0.51A SOT26 | تحقيق |
 |
DMN3190LDW-13 | Diodes Incorporated | MOSFET 2N-CH 30V 1A SOT363 | تحقيق |
 |
DMN313DLT-7 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 30V 0.27A SOT523 | تحقيق |
|
DMN3190LDW-7 | Diodes Incorporated | MOSFET 2N-CH 30V 1A SOT363 | تحقيق |
 |
AON7934 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | MOSFET 2N-CH 30V 13A/15A 8DFN | تحقيق |
 |
APTC90AM602G | Microsemi Corporation | MOSFET 2N-CH 900V 59A SP2 | تحقيق |
 |
DMN31D5UFZ-7B | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 30V .22A X2-DFN0606- | تحقيق |
 |
CSD86360Q5D | Texas Instruments | MOSFET 2N-CH 25V 50A 8SON | تحقيق |
 |
DMN3150LW-7 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 28V 1.6A SC70-3 | تحقيق |
|
DMN3112S-7 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 30V 5.8A SOT23-3 | تحقيق |
|
DMN3110S-7 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 30V 2.5A SOT-23 | تحقيق |
 |
SH8M4TB1 | Rohm Semiconductor | MOSFET N/P-CH 30V 9A/7A 8SOIC | تحقيق |
 |
SP8M9FU6TB | Rohm Semiconductor | MOSFET N/P-CH 30V 9A/5A 8SOIC | تحقيق |
|
DMN3115UDM-7 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 30V 3.2A SOT-26 | تحقيق |
 |
NVMD6N03R2G | ON Semiconductor | MOSFET 2N-CH 30V 6A 8SOIC | تحقيق |
|
CSD88539NDT | Texas Instruments | MOSFET 2N-CH 60V 15A 8SOIC | تحقيق |
Latest الأخبار
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI to reduce costs in Wireless business; OMAP™ processors and wireless connectivity solutions will focus on embedded markets
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers