يشترى DMN30H4D0L-13 مع BYCHPS
شراء مع ضمان
DMN30H4D0L-13
- رقم القطعة:
- DMN30H4D0L-13
- الصانع:
- Diodes Incorporated
- وصف:
- MOSFET N-CH 300V .25A SOT23
- حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- الكمية المتوفرة:
- 19901 Pieces
- ورقة البيانات:
- DMN30H4D0L-13.pdf
المقدمة
BYCHIPS هو الموزع تخزين ل DMN30H4D0L-13 ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك DMN30H4D0L-13 عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
مواصفات
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد: | 3V @ 250µA |
|---|---|
| فغس (ماكس): | ±20V |
| تكنولوجيا: | MOSFET (Metal Oxide) |
| تجار الأجهزة حزمة: | SOT-23 |
| سلسلة: | - |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS: | 4 Ohm @ 300mA, 10V |
| تبديد الطاقة (ماكس): | 310mW (Ta) |
| التعبئة والتغليف: | Tape & Reel (TR) |
| حزمة / كيس: | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| اسماء اخرى: | DMN30H4D0L-13DITR |
| درجة حرارة التشغيل: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| تصاعد نوع: | Surface Mount |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع المهلة القياسية: | 8 Weeks |
| الصانع الجزء رقم: | DMN30H4D0L-13 |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس: | 187.3pF @ 25V |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس: | 7.6nC @ 10V |
| نوع FET: | N-Channel |
| FET الميزة: | - |
| وصف موسع: | N-Channel 300V 250mA (Ta) 310mW (Ta) Surface Mount SOT-23 |
| محرك الجهد (ماكس رديز على، دقيقة رديز على): | 2.7V, 10V |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss): | 300V |
| وصف: | MOSFET N-CH 300V .25A SOT23 |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C: | 250mA (Ta) |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لDMN30H4D0L-13
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
DMN3052LSS-13 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 30V 7.1A 8-SOIC | تحقيق |
 |
DMN3016LPS-13 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 30V 10.8A PWRDI8 | تحقيق |
 |
DMN30H4D0LFDE-7 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 300V .55A 6UDFN | تحقيق |
 |
DMN30H4D0L-7 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 300V .25A SOT-23 | تحقيق |
|
DMN30H4D0LFDE-13 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 300V 0.55A 6UDFN | تحقيق |
|
DMN3042L-13 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 30V 5.8A SOT23 | تحقيق |
 |
DMN3016LDN-7 | Diodes Incorporated | MOSFET 2N-CH 30V 7.3A 8VDFN | تحقيق |
 |
DMN3008SFG-7 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 30V 17.6A POWERDI | تحقيق |
 |
DMN3008SFGQ-13 | Diodes Incorporated | MOSFET NCH 30V 17.6A POWERDI | تحقيق |
|
DMN3016LFDE-7 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 30V 10A U-DFN2020-6 | تحقيق |
|
DMN3024SFG-13 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 30V 7.5A PWRDI3333-8 | تحقيق |
 |
DMN3005LK3-13 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 30V 14.5A TO252-3L | تحقيق |
|
DMN3010LFG-13 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 30V POWERDI3333-8 | تحقيق |
|
DMN3033LSN-7 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 30V 6A SC59-3 | تحقيق |
Latest الأخبار
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog