DMN3016LSS-13
DMN3016LSS-13
رقم القطعة:
DMN3016LSS-13
الصانع:
Diodes Incorporated
وصف:
MOSFET N-CH 30V 10.3A 8SOIC
حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
الكمية المتوفرة:
16450 Pieces
ورقة البيانات:
DMN3016LSS-13.pdf

المقدمة

BYCHIPS هو الموزع تخزين ل DMN3016LSS-13 ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك DMN3016LSS-13 عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
يشترى DMN3016LSS-13 مع BYCHPS
شراء مع ضمان

مواصفات

VGS (ال) (ماكس) @ إيد:2.5V @ 250µA
فغس (ماكس):±20V
تكنولوجيا:MOSFET (Metal Oxide)
تجار الأجهزة حزمة:8-SO
سلسلة:-
RDS على (ماكس) @ إيد، VGS:12 mOhm @ 12A, 10V
تبديد الطاقة (ماكس):1.5W (Ta)
التعبئة والتغليف:Tape & Reel (TR)
حزمة / كيس:8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
اسماء اخرى:DMN3016LSS-13DI
DMN3016LSS-13DI-ND
DMN3016LSS-13DITR
درجة حرارة التشغيل:-55°C ~ 150°C (TJ)
تصاعد نوع:Surface Mount
مستوى حساسية الرطوبة (مسل):1 (Unlimited)
الصانع المهلة القياسية:16 Weeks
الصانع الجزء رقم:DMN3016LSS-13
مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس:1415pF @ 15V
غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس:25.1nC @ 10V
نوع FET:N-Channel
FET الميزة:-
وصف موسع:N-Channel 30V 10.3A (Ta) 1.5W (Ta) Surface Mount 8-SO
محرك الجهد (ماكس رديز على، دقيقة رديز على):4.5V, 10V
استنزاف لجهد المصدر (Vdss):30V
وصف:MOSFET N-CH 30V 10.3A 8SOIC
الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C:10.3A (Ta)
Email:[email protected]

سريع طلب اقتباس

رقم القطعة
كمية
شركة
البريد الإلكتروني
هاتف
تعليقات