يشترى DMG1016UDW-7 مع BYCHPS
شراء مع ضمان
DMG1016UDW-7
- رقم القطعة:
- DMG1016UDW-7
- الصانع:
- Diodes Incorporated
- وصف:
- MOSFET N/P-CH 20V SOT363
- حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- الكمية المتوفرة:
- 13356 Pieces
- ورقة البيانات:
- DMG1016UDW-7.pdf
المقدمة
BYCHIPS هو الموزع تخزين ل DMG1016UDW-7 ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك DMG1016UDW-7 عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
مواصفات
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد: | 1V @ 250µA |
|---|---|
| تجار الأجهزة حزمة: | SOT-363 |
| سلسلة: | - |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS: | 450 mOhm @ 600mA, 4.5V |
| السلطة - ماكس: | 330mW |
| التعبئة والتغليف: | Tape & Reel (TR) |
| حزمة / كيس: | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
| اسماء اخرى: | DMG1016UDW-7DITR DMG1016UDW7 |
| درجة حرارة التشغيل: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| تصاعد نوع: | Surface Mount |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع المهلة القياسية: | 8 Weeks |
| الصانع الجزء رقم: | DMG1016UDW-7 |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس: | 60.67pF @ 10V |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس: | 0.74nC @ 4.5V |
| نوع FET: | N and P-Channel |
| FET الميزة: | Logic Level Gate |
| وصف موسع: | Mosfet Array N and P-Channel 20V 1.07A, 845mA 330mW Surface Mount SOT-363 |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss): | 20V |
| وصف: | MOSFET N/P-CH 20V SOT363 |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C: | 1.07A, 845mA |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لDMG1016UDW-7
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
DMG1016VQ-13 | Diodes Incorporated | MOSFET N/P-CH 20V SOT563 | تحقيق |
 |
DMG1026UVQ-7 | Diodes Incorporated | MOSFET BVDSS: 41V 60V SOT563 T&R | تحقيق |
|
DMG1013UWQ-13 | Diodes Incorporated | MOSFET PCH 20V 820MA SOT323 | تحقيق |
|
DMG1023UV-7 | Diodes Incorporated | MOSFET 2P-CH 20V 1.03A SOT563 | تحقيق |
|
DMG1016V-7 | Diodes Incorporated | MOSFET N/P-CH 20V SOT563 | تحقيق |
|
DMG1016VQ-7 | Diodes Incorporated | MOSFET N/P-CH 20V SOT563 | تحقيق |
 |
DMG1013UWQ-7 | Diodes Incorporated | MOSFET P-CH 20V 0.82A SOT323 | تحقيق |
|
DMG1012UW-7 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 20V 1A SOT323 | تحقيق |
|
DMG1013UW-7 | Diodes Incorporated | MOSFET P-CH 20V 820MA SOT323 | تحقيق |
 |
DMG1013T-7 | Diodes Incorporated | MOSFET P-CH 20V 0.46A SOT-523 | تحقيق |
|
DMG1012TQ-7 | Diodes Incorporated | MOSFET NCH 20V 630MA SOT523 | تحقيق |
|
DMG1012T-7 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 20V 630MA SOT-523 | تحقيق |
Latest الأخبار
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog