يشترى CGHV60040D مع BYCHPS
شراء مع ضمان
CGHV60040D
- رقم القطعة:
- CGHV60040D
- الصانع:
- Cree
- وصف:
- RF MOSFET HEMT 50V DIE
- حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- الكمية المتوفرة:
- 15122 Pieces
- ورقة البيانات:
- CGHV60040D.pdf
المقدمة
BYCHIPS هو الموزع تخزين ل CGHV60040D ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك CGHV60040D عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
مواصفات
| الجهد - اختبار: | 50V |
|---|---|
| الجهد - تقييمه: | 150V |
| نوع الترانزستور: | HEMT |
| تجار الأجهزة حزمة: | Die |
| سلسلة: | GaN |
| مخرج قوي: | 40W |
| التعبئة والتغليف: | Tray |
| حزمة / كيس: | Die |
| الضوضاء الشكل: | - |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع الجزء رقم: | CGHV60040D |
| ربح: | 17dB |
| تردد: | 6GHz |
| وصف موسع: | RF Mosfet HEMT 50V 65mA 6GHz 17dB 40W Die |
| وصف: | RF MOSFET HEMT 50V DIE |
| التصويت الحالي: | - |
| الحالي - اختبار: | 65mA |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لCGHV60040D
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
CGHV60075D5 | Cree/Wolfspeed | RF MOSFET HEMT 50V DIE | تحقيق |
 |
BLF6G20S-45,112 | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 65V 19.2DB SOT608B | تحقيق |
 |
CGHV60170D | Cree/Wolfspeed | RF MOSFET HEMT 50V DIE | تحقيق |
 |
MRF5S4140HR5 | NXP USA Inc. | FET RF 65V 465MHZ NI-780 | تحقيق |
 |
ON5258,215 | Nexperia USA Inc. | MOSFET RF SOT23 TO-236AB | تحقيق |
 |
3SK293(TE85L,F) | Toshiba Semiconductor and Storage | FET RF 12.5V 800MHZ USQ | تحقيق |
 |
MRF6P23190HR5 | NXP USA Inc. | FET RF 68V 2.39GHZ NI-1230 | تحقيق |
 |
2731GN-200M | Microsemi Corporation | FETS RF GAN 150V 2.7-3.1GHZ 55QP | تحقيق |
 |
BF998WR,115 | NXP USA Inc. | MOSFET N-CH 12V 30MA SOT343R | تحقيق |
 |
PTFA181001E V4 T500 | Infineon Technologies | IC FET RF LDMOS | تحقيق |
 |
MRFG35010ANR5 | NXP USA Inc. | FET RF 15V 3.55GHZ NI360HF | تحقيق |
 |
PXAC201202FCV2R250XTMA1 | Infineon Technologies | IC AMP RF LDMOS | تحقيق |
|
ATF-54143-BLKG | Broadcom Limited | FET RF 5V 2GHZ SOT-343 | تحقيق |
Latest الأخبار
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI to reduce costs in Wireless business; OMAP™ processors and wireless connectivity solutions will focus on embedded markets
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers