يشترى C4D10120E-TR مع BYCHPS
شراء مع ضمان
C4D10120E-TR
- رقم القطعة:
- C4D10120E-TR
- الصانع:
- Cree
- وصف:
- DIODE SCHOTTKY 1.2KV 33A TO252-2
- حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- الكمية المتوفرة:
- 14768 Pieces
- ورقة البيانات:
- C4D10120E-TR.pdf
المقدمة
BYCHIPS هو الموزع تخزين ل C4D10120E-TR ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك C4D10120E-TR عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
مواصفات
| الجهد - إلى الأمام (فودافون) (ماكس) @ إذا: | 1.8V @ 10A |
|---|---|
| الجهد - العاصمة عكسي (VR) (ماكس): | 1200V (1.2kV) |
| تجار الأجهزة حزمة: | TO-252-2 |
| سرعة: | No Recovery Time > 500mA (Io) |
| سلسلة: | Z-Rec® |
| عكس وقت الاسترداد (TRR): | 0ns |
| التعبئة والتغليف: | Tape & Reel (TR) |
| حزمة / كيس: | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| درجة حرارة التشغيل - تقاطع: | -55°C ~ 175°C |
| تصاعد نوع: | Surface Mount |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع المهلة القياسية: | 4 Weeks |
| الصانع الجزء رقم: | C4D10120E-TR |
| وصف موسع: | Diode Silicon Carbide Schottky 1200V (1.2kV) 33A Surface Mount TO-252-2 |
| نوع الصمام الثنائي: | Silicon Carbide Schottky |
| وصف: | DIODE SCHOTTKY 1.2KV 33A TO252-2 |
| التيار - عكس تسرب @ الواقع الافتراضي: | 250µA @ 1200V |
| الحالي - متوسط مصحح (أيو): | 33A |
| السعة @ الواقع الافتراضي، F: | 754pF @ 0V, 1MHz |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لC4D10120E-TR
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
VS-MBRB735TRLPBF | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE SCHOTTKY 35V 7.5A D2PAK | تحقيق |
 |
C4D10120E | Cree/Wolfspeed | DIODE SCHOTTKY 1.2KV 10A TO252-2 | تحقيق |
 |
C4D10120A | Cree/Wolfspeed | DIODE SCHOTTKY 1.2KV 10A TO220-2 | تحقيق |
 |
MBR16H35-E3/45 | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE SCHOTTKY TO-220AC | تحقيق |
 |
GP20B-E3/54 | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GEN PURP 100V 2A GP20 | تحقيق |
 |
SS36-M3/9AT | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE SCHOTTKY 3A 60V DO-214AB | تحقيق |
 |
BAT43WS-HE3-18 | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE SCHOTTKY 30V 200MA SOD323 | تحقيق |
 |
CMH04(TE12L,Q,M) | Toshiba Semiconductor and Storage | DIODE GEN PURP 200V 1A MFLAT | تحقيق |
 |
C4D10120D | Cree/Wolfspeed | DIODE ARRAY SCHOTTKY 1200V TO247 | تحقيق |
 |
SK15-13-F | Diodes Incorporated | DIODE SCHOTTKY 50V 1A SMB | تحقيق |
Latest الأخبار
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI to reduce costs in Wireless business; OMAP™ processors and wireless connectivity solutions will focus on embedded markets
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers