يشترى BSZ0904NSI مع BYCHPS
شراء مع ضمان
BSZ0904NSI
- رقم القطعة:
- BSZ0904NSI
- وصف:
- MOSFET N-CH 30V 40A TSDSON
- حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- الكمية المتوفرة:
- 16499 Pieces
- ورقة البيانات:
- BSZ0904NSI.pdf
المقدمة
BYCHIPS هو الموزع تخزين ل BSZ0904NSI ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك BSZ0904NSI عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
مواصفات
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد: | 2.2V @ 250µA |
|---|---|
| فغس (ماكس): | ±20V |
| تكنولوجيا: | MOSFET (Metal Oxide) |
| تجار الأجهزة حزمة: | PG-TSDSON-8-FL |
| سلسلة: | OptiMOS™ |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS: | 4 mOhm @ 30A, 10V |
| تبديد الطاقة (ماكس): | 2.1W (Ta), 37W (Tc) |
| التعبئة والتغليف: | Tape & Reel (TR) |
| حزمة / كيس: | 8-PowerTDFN |
| اسماء اخرى: | BSZ0904NSIATMA1 BSZ0904NSITR SP000854390 |
| درجة حرارة التشغيل: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| تصاعد نوع: | Surface Mount |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع المهلة القياسية: | 10 Weeks |
| الصانع الجزء رقم: | BSZ0904NSI |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس: | 1100pF @ 15V |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس: | 17nC @ 10V |
| نوع FET: | N-Channel |
| FET الميزة: | Schottky Diode (Body) |
| وصف موسع: | N-Channel 30V 40A (Ta), 18A (Tc) 2.1W (Ta), 37W (Tc) Surface Mount PG-TSDSON-8-FL |
| محرك الجهد (ماكس رديز على، دقيقة رديز على): | 4.5V, 10V |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss): | 30V |
| وصف: | MOSFET N-CH 30V 40A TSDSON |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C: | 40A (Ta), 18A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لBSZ0904NSI
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
BSZ0909NSATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 34V 9A 8TSDSON | تحقيق |
 |
NVD5862NT4G-VF01 | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 60V 90A DPAK-4 | تحقيق |
 |
BSZ0901NSI | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 40A TSDSON | تحقيق |
|
BSZ0902NSI | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 21A TSDSON-8 | تحقيق |
 |
IRF9Z24NLPBF | Infineon Technologies | MOSFET P-CH 55V 12A TO-262 | تحقيق |
|
BSZ0902NS | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 40A TSDSON-8 | تحقيق |
|
BSZ099N06LS5ATMA1 | Infineon Technologies | MV POWER MOS | تحقيق |
|
BSZ097N04LS G | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 40V 40A TSDSON-8 | تحقيق |
|
BSZ096N10LS5ATMA1 | Infineon Technologies | MV POWER MOS | تحقيق |
 |
BSZ0909NDXTMA1 | Infineon Technologies | MOSFET 2N-CH 30V 20A 8WISON | تحقيق |
|
BSZ097N10NS5ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 40A TSDSON-8 | تحقيق |
 |
CSD25202W15 | Texas Instruments | MOSFET P-CH 20V 4A 9DSBGA | تحقيق |
|
BSZ0901NS | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V S308 | تحقيق |
 |
IPB60R190P6ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V TO263-3 | تحقيق |
Latest الأخبار
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI to reduce costs in Wireless business; OMAP™ processors and wireless connectivity solutions will focus on embedded markets
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers