العربية
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Suomi Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Nederland Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Kongeriket Dansk Svenska✕
معلومات عنا | اتصل بنا | اطلب اقتباس |
الصفحة الرئيسية > منتجات > منتجات أشباه الموصلات المنفصلة > الترانزستورات - فيتس، موسيتس - واحدة > BSN20BKR
BSN20BKR
BSN20BKR
رقم القطعة:
BSN20BKR
الصانع:
Nexperia
وصف:
MOSFET N-CH 60V 0.265A SOT-23
حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
الكمية المتوفرة:
16769 Pieces
ورقة البيانات:
BSN20BKR.pdf
تحقيق

المقدمة

BYCHIPS هو الموزع تخزين ل BSN20BKR ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك BSN20BKR عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
يشترى BSN20BKR مع BYCHPS
شراء مع ضمان

مواصفات

VGS (ال) (ماكس) @ إيد:1.4V @ 250µA
فغس (ماكس):±20V
تكنولوجيا:MOSFET (Metal Oxide)
تجار الأجهزة حزمة:TO-236AB (SOT23)
سلسلة:-
RDS على (ماكس) @ إيد، VGS:2.8 Ohm @ 200mA, 10V
تبديد الطاقة (ماكس):310mW (Ta)
التعبئة والتغليف:Tape & Reel (TR)
حزمة / كيس:TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
اسماء اخرى:1727-2341-2
568-12638-2
568-12638-2-ND
934068054215
درجة حرارة التشغيل:-55°C ~ 150°C (TJ)
تصاعد نوع:Surface Mount
مستوى حساسية الرطوبة (مسل):1 (Unlimited)
الصانع المهلة القياسية:8 Weeks
الصانع الجزء رقم:BSN20BKR
مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس:20.2pF @ 30V
غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس:0.49nC @ 4.5V
نوع FET:N-Channel
FET الميزة:-
وصف موسع:N-Channel 60V 265mA (Ta) 310mW (Ta) Surface Mount TO-236AB (SOT23)
محرك الجهد (ماكس رديز على، دقيقة رديز على):10V
استنزاف لجهد المصدر (Vdss):60V
وصف:MOSFET N-CH 60V 0.265A SOT-23
الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C:265mA (Ta)
Email:[email protected]

سريع طلب اقتباس

رقم القطعة
كمية
شركة
البريد الإلكتروني
هاتف
تعليقات

قطع الغيار ذات الصلة لBSN20BKR

صورة رقم القطعة مصنعين وصف رأي
IRFZ24S Image IRFZ24S Vishay Siliconix MOSFET N-CH 60V 17A D2PAK تحقيق
IRFZ30PBF Image IRFZ30PBF Vishay Siliconix MOSFET N-CH 50V 30A TO-220AB تحقيق
SIE822DF-T1-E3 Image SIE822DF-T1-E3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 20V 50A 10-POLARPAK تحقيق
IXTT16N50D2 Image IXTT16N50D2 IXYS MOSFET N-CH 500V 16A TO-268 تحقيق
IXFR180N06 Image IXFR180N06 IXYS MOSFET N-CH 60V 180A ISOPLUS247 تحقيق
IRFS59N10DPBF Image IRFS59N10DPBF Infineon Technologies MOSFET N-CH 100V 59A D2PAK تحقيق
DMT3004LFG-13 Diodes Incorporated MOSFET NCH 30V 10.4A POWERDI تحقيق
SI4840DY-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 40V 10A 8-SOIC تحقيق
STF13N80K5 Image STF13N80K5 STMicroelectronics MOSFET N-CH 800V 12A TO-220FP تحقيق
SI4686DY-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 30V 18.2A 8-SOIC تحقيق
ZXMP7A17KTC Image ZXMP7A17KTC Diodes Incorporated MOSFET P-CH 70V 5.7A D PAK تحقيق
IXFK80N65X2 Image IXFK80N65X2 IXYS MOSFET N-CH 650V 80A TO-264 تحقيق
SI8451DB-T2-E1 Vishay Siliconix MOSFET P-CH 20V 10.8A MICROFOOT تحقيق
IRF3805L-7PPBF Image IRF3805L-7PPBF Infineon Technologies MOSFET N-CH 55V 160A TO-263-7 تحقيق
SI4403BDY-T1-E3 Vishay Siliconix MOSFET P-CH 20V 7.3A 8-SOIC تحقيق
BUK9Y12-40E,115 Image BUK9Y12-40E,115 Nexperia USA Inc. MOSFET N-CH 40V LFPAK تحقيق
CSD17484F4 Texas Instruments N-CHANNEL FEMTOFET MOSFET تحقيق
SI1013X-T1-E3 Image SI1013X-T1-E3 Vishay Siliconix MOSFET P-CH 20V 350MA SC89-3 تحقيق
FDBL86563_F085 Image FDBL86563_F085 Fairchild/ON Semiconductor MOSFET N-CH 60V 240A PSOF8 تحقيق
IPW60R280P6FKSA1 Image IPW60R280P6FKSA1 Infineon Technologies MOSFET N-CH 600V TO247-3 تحقيق

Latest الأخبار