BSC0501NSIATMA1
BSC0501NSIATMA1
رقم القطعة:
BSC0501NSIATMA1
الصانع:
International Rectifier (Infineon Technologies)
وصف:
MOSFET N-CH 30V 29A 8TDSON
حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
الكمية المتوفرة:
18934 Pieces
ورقة البيانات:
BSC0501NSIATMA1.pdf

المقدمة

BYCHIPS هو الموزع تخزين ل BSC0501NSIATMA1 ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك BSC0501NSIATMA1 عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
يشترى BSC0501NSIATMA1 مع BYCHPS
شراء مع ضمان

مواصفات

VGS (ال) (ماكس) @ إيد:2V @ 250µA
تكنولوجيا:MOSFET (Metal Oxide)
تجار الأجهزة حزمة:PG-TDSON-8
سلسلة:OptiMOS™
RDS على (ماكس) @ إيد، VGS:1.9 mOhm @ 30A, 10V
تبديد الطاقة (ماكس):2.5W (Ta), 50W (Tc)
التعبئة والتغليف:Tape & Reel (TR)
حزمة / كيس:8-PowerTDFN
اسماء اخرى:SP001288140
درجة حرارة التشغيل:-55°C ~ 150°C (TJ)
تصاعد نوع:Surface Mount
مستوى حساسية الرطوبة (مسل):1 (Unlimited)
الصانع المهلة القياسية:16 Weeks
الصانع الجزء رقم:BSC0501NSIATMA1
مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس:2200pF @ 15V
غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس:33nC @ 10V
نوع FET:N-Channel
FET الميزة:Schottky Diode (Body)
وصف موسع:N-Channel 30V 29A (Ta), 100A (Tc) 2.5W (Ta), 50W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8
استنزاف لجهد المصدر (Vdss):30V
وصف:MOSFET N-CH 30V 29A 8TDSON
الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C:29A (Ta), 100A (Tc)
Email:[email protected]

سريع طلب اقتباس

رقم القطعة
كمية
شركة
البريد الإلكتروني
هاتف
تعليقات