العربية
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Suomi Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Nederland Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Kongeriket Dansk Svenska✕
معلومات عنا | اتصل بنا | اطلب اقتباس |
الصفحة الرئيسية > منتجات > منتجات أشباه الموصلات المنفصلة > الترانزستورات - فيتس، موسيتس - رف > BLF881,112
BLF881,112
BLF881,112
رقم القطعة:
BLF881,112
الصانع:
Ampleon
وصف:
RF FET LDMOS 104V 21DB SOT467C
حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
الكمية المتوفرة:
19911 Pieces
ورقة البيانات:
BLF881,112.pdf
تحقيق

المقدمة

BYCHIPS هو الموزع تخزين ل BLF881,112 ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك BLF881,112 عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
يشترى BLF881,112 مع BYCHPS
شراء مع ضمان

مواصفات

الجهد - اختبار:50V
الجهد - تقييمه:104V
نوع الترانزستور:LDMOS
تجار الأجهزة حزمة:SOT467C
سلسلة:-
مخرج قوي:140W
التعبئة والتغليف:Tray
حزمة / كيس:SOT467C
اسماء اخرى:568-7554
568-7554-5
568-7554-5-ND
934063947112
BLF881,112-ND
BLF881112
الضوضاء الشكل:-
مستوى حساسية الرطوبة (مسل):1 (Unlimited)
الصانع المهلة القياسية:13 Weeks
الصانع الجزء رقم:BLF881,112
ربح:21dB
تردد:860MHz
وصف موسع:RF Mosfet LDMOS 50V 500mA 860MHz 21dB 140W SOT467C
وصف:RF FET LDMOS 104V 21DB SOT467C
التصويت الحالي:-
الحالي - اختبار:500mA
Email:[email protected]

سريع طلب اقتباس

رقم القطعة
كمية
شركة
البريد الإلكتروني
هاتف
تعليقات

قطع الغيار ذات الصلة لBLF881,112

صورة رقم القطعة مصنعين وصف رأي
BLF888DU Image BLF888DU Ampleon USA Inc. RF FET LDMOS 104V 21DB SOT539A تحقيق
BLF881S,112 Image BLF881S,112 Ampleon USA Inc. RF FET LDMOS 104V 21DB SOT467B تحقيق
MRFE6VP8600HR5 Image MRFE6VP8600HR5 NXP USA Inc. FET RF 2CH 130V 860MHZ NI-1230 تحقيق
BLF888,112 Image BLF888,112 Ampleon USA Inc. RF FET LDMOS 104V 19DB SOT979A تحقيق
PTFB082817FHV1XWSA1 Infineon Technologies IC FET RF LDMOS H-34288 تحقيق
BLF882SU Image BLF882SU Ampleon USA Inc. RF FET LDMOS 104V 20.6DB SOT502B تحقيق
BLF888AS,112 Image BLF888AS,112 Ampleon USA Inc. RF FET LDMOS 110V 21DB SOT539B تحقيق
BLF884P,112 Image BLF884P,112 Ampleon USA Inc. RF FET LDMOS 104V 21DB SOT1121A تحقيق
BLF888A,112 Image BLF888A,112 Ampleon USA Inc. RF FET LDMOS 110V 21DB SOT539A تحقيق
BLF888ESU Ampleon USA Inc. RF FET LDMOS 104V 17DB SOT539B تحقيق
BLF884PS,112 Image BLF884PS,112 Ampleon USA Inc. RF FET LDMOS 104V 21DB SOT1121B تحقيق
BLF888EU Ampleon USA Inc. RF FET LDMOS 104V 17DB SOT539A تحقيق
MRFE6VP8600HR6 Image MRFE6VP8600HR6 NXP USA Inc. FET RF 2CH 130V 860MHZ NI1230H تحقيق
BLF888DSU Image BLF888DSU Ampleon USA Inc. RF FET LDMOS 104V 21DB SOT539B تحقيق
BLF888B,112 Image BLF888B,112 Ampleon USA Inc. RF FET LDMOS 104V 21DB SOT539A تحقيق
MRF9120LR3 NXP USA Inc. FET RF 65V 880MHZ NI-860 تحقيق
BLC6G27-100,112 Ampleon USA Inc. RF FET 28V SOT895A تحقيق
BLF888BS,112 Image BLF888BS,112 Ampleon USA Inc. RF MOSFET LDMOS DUAL 50V SOT539B تحقيق
BLF882U Image BLF882U Ampleon USA Inc. RF FET LDMOS 104V 20.6DB SOT502A تحقيق

Latest الأخبار