يشترى BLF6G20S-230PRN:11 مع BYCHPS
شراء مع ضمان
BLF6G20S-230PRN:11
- رقم القطعة:
- BLF6G20S-230PRN:11
- وصف:
- TRANSISTOR PWR LDMOS SOT539B
- حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- الكمية المتوفرة:
- 17602 Pieces
- ورقة البيانات:
- BLF6G20S-230PRN:11.pdf
المقدمة
BYCHIPS هو الموزع تخزين ل BLF6G20S-230PRN:11 ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك BLF6G20S-230PRN:11 عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
مواصفات
| الجهد - اختبار: | 28V |
|---|---|
| الجهد - تقييمه: | 65V |
| نوع الترانزستور: | LDMOS |
| تجار الأجهزة حزمة: | SOT539B |
| سلسلة: | - |
| مخرج قوي: | 65W |
| التعبئة والتغليف: | Tape & Reel (TR) |
| حزمة / كيس: | SOT539B |
| اسماء اخرى: | 934064341118 |
| الضوضاء الشكل: | - |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع الجزء رقم: | BLF6G20S-230PRN:11 |
| ربح: | 17.5dB |
| تردد: | 1.8GHz ~ 1.88GHz |
| وصف موسع: | RF Mosfet LDMOS 28V 2A 1.8GHz ~ 1.88GHz 17.5dB 65W SOT539B |
| وصف: | TRANSISTOR PWR LDMOS SOT539B |
| التصويت الحالي: | - |
| الحالي - اختبار: | 2A |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لBLF6G20S-230PRN:11
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
BLF6G27LS-50BN,118 | NXP USA Inc. | TRANSISTOR RF PWR LDMOS SOT1112B | تحقيق |
|
MRF6S21190HSR3 | NXP USA Inc. | FET RF 68V 2.17GHZ NI880S | تحقيق |
|
BF1203,115 | NXP USA Inc. | FET RF 10V 400MHZ 6TSSOP | تحقيق |
 |
BLF183XRU | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 135V 28DB SOT1121A | تحقيق |
|
BLF6G10LS-200,112 | NXP USA Inc. | FET RF 65V 871.5MHZ SOT502B | تحقيق |
|
BLF6G27LS-100,118 | NXP USA Inc. | TRANS PWR LDMOS SOT502 | تحقيق |
 |
BLF6G24-180PN,112 | NXP USA Inc. | TRANSISTOR PWR LDMOS SOT539A | تحقيق |
|
BLF6G20-230P | NXP USA Inc. | IC BASESTATION FINAL SOT502A | تحقيق |
|
MRF8S26120HSR3 | NXP USA Inc. | FET RF 65V 2.69GHZ NI780S | تحقيق |
|
BLF6G27LS-50BN,112 | NXP USA Inc. | TRANSISTOR RF PWR LDMOS SOT1112B | تحقيق |
|
ON5402,518 | NXP USA Inc. | MOSFET RF 8SOIC | تحقيق |
|
BLF6G10LS-200,118 | NXP USA Inc. | FET RF 65V 871.5MHZ SOT502B | تحقيق |
 |
BLF7G22LS-250P,112 | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 65V 18.5DB SOT539B | تحقيق |
Latest الأخبار
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog