يشترى BLF2324M8LS200PJ مع BYCHPS
شراء مع ضمان
BLF2324M8LS200PJ
- رقم القطعة:
- BLF2324M8LS200PJ
- الصانع:
- Ampleon
- وصف:
- RF FET LDMOS 65V 17.2DB SOT539B
- حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- الكمية المتوفرة:
- 19778 Pieces
- ورقة البيانات:
- BLF2324M8LS200PJ.pdf
المقدمة
BYCHIPS هو الموزع تخزين ل BLF2324M8LS200PJ ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك BLF2324M8LS200PJ عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
مواصفات
| الجهد - اختبار: | 28V |
|---|---|
| الجهد - تقييمه: | 65V |
| نوع الترانزستور: | LDMOS (Dual), Common Source |
| تجار الأجهزة حزمة: | SOT539B |
| سلسلة: | - |
| مخرج قوي: | 60W |
| التعبئة والتغليف: | Tape & Reel (TR) |
| حزمة / كيس: | SOT539B |
| اسماء اخرى: | 934068579118 |
| الضوضاء الشكل: | - |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع المهلة القياسية: | 13 Weeks |
| الصانع الجزء رقم: | BLF2324M8LS200PJ |
| ربح: | 17.2dB |
| تردد: | 2.3GHz ~ 2.4GHz |
| وصف موسع: | RF Mosfet LDMOS (Dual), Common Source 28V 1.74A 2.3GHz ~ 2.4GHz 17.2dB 60W SOT539B |
| وصف: | RF FET LDMOS 65V 17.2DB SOT539B |
| التصويت الحالي: | - |
| الحالي - اختبار: | 1.74A |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لBLF2324M8LS200PJ
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
BLF2324M8LS200PU | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 65V 17.2DB SOT539B | تحقيق |
 |
BG3430RE6327HTSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH DUAL 8V 25MA SOT-363 | تحقيق |
 |
AFT18HW355SR5 | NXP USA Inc. | FET RF 2CH 65V 1.88GHZ NI1230S-4 | تحقيق |
 |
MRF6S19200HSR5 | NXP USA Inc. | FET RF 66V 1.99GHZ NI780S | تحقيق |
 |
BLF10H6600PU | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 110V 20.8DB SOT539A | تحقيق |
|
MRF7S15100HSR3 | NXP USA Inc. | FET RF 65V 1.51GHZ NI780S | تحقيق |
 |
BLF242,112 | Ampleon USA Inc. | RF FET NCHA 65V 16DB SOT123A | تحقيق |
 |
BF245B | ON Semiconductor | JFET N-CH 30V 100MA TO92 | تحقيق |
 |
MRF8S9100HR5 | NXP USA Inc. | FET RF 70V 920MHZ NI-780 | تحقيق |
 |
NPT1012B | M/A-Com Technology Solutions | HEMT N-CH 28V 25W DC-4000MHZ | تحقيق |
 |
CE3512K2 | CEL | RF FET 4V 12GHZ 4MICROX | تحقيق |
|
AFT21S240-12SR3 | NXP USA Inc. | FET RF 65V 2.17GHZ NI780S-2 | تحقيق |
 |
BLF6G10LS-200RN,11 | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 65V 20DB SOT502B | تحقيق |
Latest الأخبار
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog