يشترى BLA6G1011L-200RG,1 مع BYCHPS
شراء مع ضمان
BLA6G1011L-200RG,1
- رقم القطعة:
- BLA6G1011L-200RG,1
- الصانع:
- Ampleon
- وصف:
- RF FET LDMOS 65V 20DB SOT502D
- حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- الكمية المتوفرة:
- 18869 Pieces
- ورقة البيانات:
- BLA6G1011L-200RG,1.pdf
المقدمة
BYCHIPS هو الموزع تخزين ل BLA6G1011L-200RG,1 ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك BLA6G1011L-200RG,1 عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
مواصفات
| الجهد - اختبار: | 28V |
|---|---|
| الجهد - تقييمه: | 65V |
| نوع الترانزستور: | LDMOS |
| تجار الأجهزة حزمة: | LDMOST |
| سلسلة: | - |
| مخرج قوي: | 200W |
| التعبئة والتغليف: | Bulk |
| حزمة / كيس: | SOT-502D |
| اسماء اخرى: | 568-8530 934065672112 BLA6G1011L-200RG,1-ND BLA6G1011L-200RG,112 BLA6G1011L-200RG,112-ND BLA6G1011L200RG112 |
| الضوضاء الشكل: | - |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع المهلة القياسية: | 13 Weeks |
| الصانع الجزء رقم: | BLA6G1011L-200RG,1 |
| ربح: | 20dB |
| تردد: | 1.03GHz ~ 1.09GHz |
| وصف موسع: | RF Mosfet LDMOS 28V 100mA 1.03GHz ~ 1.09GHz 20dB 200W LDMOST |
| وصف: | RF FET LDMOS 65V 20DB SOT502D |
| التصويت الحالي: | 49A |
| الحالي - اختبار: | 100mA |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لBLA6G1011L-200RG,1
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
BLA6G1011-200R,112 | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 65V 20DB SOT502A | تحقيق |
 |
BLA6G1011LS-200RG, | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 65V 20DB SOT502C | تحقيق |
 |
J309_D26Z | Fairchild/ON Semiconductor | JFET N-CH 25V 30MA TO92 | تحقيق |
 |
LET9180 | STMicroelectronics | IC RF TRANSISTOR LDMOS M246 | تحقيق |
 |
MAGX-002731-180L00 | M/A-Com Technology Solutions | FETS RF GAN HEMT 180W 2.7-3.1GHZ | تحقيق |
 |
BF1201WR,135 | NXP USA Inc. | MOSFET 2N-CH 10V 30MA SOT343R | تحقيق |
 |
MRFE6S9045NR1 | NXP USA Inc. | FET RF 66V 880MHZ TO-270-2 | تحقيق |
 |
PTFA041501GL V1 R250 | Infineon Technologies | IC FET RF LDMOS 150W PG-63248-2 | تحقيق |
 |
BF1204,135 | NXP USA Inc. | FET RF 10V 400MHZ 6TSSOP | تحقيق |
 |
GTVA220701FAV1R2XTMA1 | Infineon Technologies | GAN SIC | تحقيق |
|
MRF6S9045MR1 | NXP USA Inc. | FET RF 68V 880MHZ TO-270-2 | تحقيق |
Latest الأخبار
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog