يشترى BF908,215 مع BYCHPS
شراء مع ضمان
BF908,215
- رقم القطعة:
- BF908,215
- وصف:
- MOSFET N-CH 12V 40MA SOT143B
- حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- الكمية المتوفرة:
- 14119 Pieces
- ورقة البيانات:
- BF908,215.pdf
المقدمة
BYCHIPS هو الموزع تخزين ل BF908,215 ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك BF908,215 عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
مواصفات
| الجهد - اختبار: | 8V |
|---|---|
| الجهد - تقييمه: | 12V |
| نوع الترانزستور: | N-Channel Dual Gate |
| تجار الأجهزة حزمة: | SOT-143B |
| سلسلة: | - |
| مخرج قوي: | - |
| التعبئة والتغليف: | Cut Tape (CT) |
| حزمة / كيس: | TO-253-4, TO-253AA |
| اسماء اخرى: | 568-6176-1 |
| الضوضاء الشكل: | 0.6dB |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع الجزء رقم: | BF908,215 |
| ربح: | - |
| تردد: | 200MHz |
| وصف موسع: | RF Mosfet N-Channel Dual Gate 8V 15mA 200MHz SOT-143B |
| وصف: | MOSFET N-CH 12V 40MA SOT143B |
| التصويت الحالي: | 40mA |
| الحالي - اختبار: | 15mA |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لBF908,215
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
PTFA261301E V1 | Infineon Technologies | IC FET RF LDMOS 130W H-30260-2 | تحقيق |
 |
BF908WR,115 | NXP USA Inc. | MOSFET NCH DUAL GATE 12V CMPAK-4 | تحقيق |
 |
2N5486 | Central Semiconductor Corp | JFET N-CH 25V 30MA TO92 | تحقيق |
 |
BLS7G3135L-350P,11 | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 65V 10DB SOT539A | تحقيق |
|
ATF-33143-TR2G | Broadcom Limited | FET RF 5.5V 2GHZ SOT-343 | تحقيق |
 |
PD85006L-E | STMicroelectronics | TRANS RF POWER POWERFLAT5X5 | تحقيق |
 |
BLF7G27LS-150P,118 | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 65V 16DB SOT539B | تحقيق |
 |
BF908R,215 | NXP USA Inc. | MOSFET DUAL GATE 12V 40MA SOT143 | تحقيق |
 |
3SK264-5-TG-E | ON Semiconductor | FET RF 15V 200MHZ CP4 | تحقيق |
 |
MAGX-001214-650L00 | M/A-Com Technology Solutions | TRANSISTOR GAN 650W 1.2-1.4GHZ | تحقيق |
|
BLF6G24-180PN,112 | NXP USA Inc. | TRANSISTOR PWR LDMOS SOT539A | تحقيق |
 |
MMRF1018NR1 | NXP USA Inc. | FET RF 120V 860MHZ | تحقيق |
 |
SD4933 | STMicroelectronics | TRANSISTOR RF MOSFET N-CH M177 | تحقيق |
|
BF908R,235 | NXP USA Inc. | MOSFET DUAL GATE 12V 40MA SOT143 | تحقيق |
Latest الأخبار
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI to reduce costs in Wireless business; OMAP™ processors and wireless connectivity solutions will focus on embedded markets
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers