يشترى BF1109WR,115 مع BYCHPS
شراء مع ضمان
BF1109WR,115
- رقم القطعة:
- BF1109WR,115
- وصف:
- MOSFET N-CH 11V 30MA CMPAK-4
- حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- الكمية المتوفرة:
- 15689 Pieces
- ورقة البيانات:
- BF1109WR,115.pdf
المقدمة
BYCHIPS هو الموزع تخزين ل BF1109WR,115 ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك BF1109WR,115 عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
مواصفات
| الجهد - اختبار: | 9V |
|---|---|
| الجهد - تقييمه: | 11V |
| نوع الترانزستور: | N-Channel Dual Gate |
| تجار الأجهزة حزمة: | CMPAK-4 |
| سلسلة: | - |
| مخرج قوي: | - |
| التعبئة والتغليف: | Tape & Reel (TR) |
| حزمة / كيس: | SC-82A, SOT-343 |
| اسماء اخرى: | 934050280115 BF1109WR T/R BF1109WR T/R-ND |
| الضوضاء الشكل: | 1.5dB |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع الجزء رقم: | BF1109WR,115 |
| ربح: | 20dB |
| تردد: | 800MHz |
| وصف موسع: | RF Mosfet N-Channel Dual Gate 9V 800MHz 20dB CMPAK-4 |
| وصف: | MOSFET N-CH 11V 30MA CMPAK-4 |
| التصويت الحالي: | 30mA |
| الحالي - اختبار: | - |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لBF1109WR,115
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
BF1100,215 | NXP USA Inc. | MOSFET N-CH 14V 30MA SOT143 | تحقيق |
|
BF1108R,235 | NXP USA Inc. | IC RF SWITCH SOT143R | تحقيق |
 |
BF1100WR,115 | NXP USA Inc. | MOSFET N-CH 14V 30MA SOT343R | تحقيق |
|
BF1101R,215 | NXP USA Inc. | MOSFET N-CH 7V DUAL SOT143R | تحقيق |
 |
BF1102R,135 | NXP USA Inc. | FET RF 7V 800MHZ 6TSSOP | تحقيق |
|
BF1105WR,135 | NXP USA Inc. | MOSFET N-CH 7V DUAL SOT343R | تحقيق |
|
BF1101WR,115 | NXP USA Inc. | MOSFET N-CH 7V DUAL SOT343R | تحقيق |
|
BF1108,215 | NXP USA Inc. | IC RF SWITCH SOT143B | تحقيق |
|
BF1105,215 | NXP USA Inc. | MOSFET N-CH 7V DUAL SOT143 | تحقيق |
|
BF1109R,215 | NXP USA Inc. | MOSFET 2N-CH 11V 30MA SOT143R | تحقيق |
|
BF1101WR,135 | NXP USA Inc. | MOSFET N-CH 7V DUAL SOT343R | تحقيق |
|
BF1101,215 | NXP USA Inc. | MOSFET N-CH 7V 30MA SOT143B | تحقيق |
|
BF1108R,215 | NXP USA Inc. | IC RF SWITCH SOT-143R | تحقيق |
|
BF1105WR,115 | NXP USA Inc. | MOSFET N-CH 7V DUAL SOT343R | تحقيق |
|
BF1100R,215 | NXP USA Inc. | MOSFET N-CH 14V 30MA SOT143 | تحقيق |
|
BF1100R,235 | NXP USA Inc. | MOSFET N-CH 14V 30MA SOT143 | تحقيق |
|
BF1102R,115 | NXP USA Inc. | FET RF 7V 800MHZ 6TSSOP | تحقيق |
 |
BF1107,235 | NXP USA Inc. | MOSFET N-CH 3V 10MA SOT23 | تحقيق |
|
BF1107,215 | NXP USA Inc. | MOSFET N-CH 3V 10MA SOT23 | تحقيق |
Latest الأخبار
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog