يشترى BAS16L,315 مع BYCHPS
شراء مع ضمان
BAS16L,315
- رقم القطعة:
- BAS16L,315
- الصانع:
- Nexperia
- وصف:
- DIODE GEN PURP 100V 215MA SOD882
- حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- الكمية المتوفرة:
- 16687 Pieces
- ورقة البيانات:
- BAS16L,315.pdf
المقدمة
BYCHIPS هو الموزع تخزين ل BAS16L,315 ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك BAS16L,315 عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
مواصفات
| الجهد - إلى الأمام (فودافون) (ماكس) @ إذا: | 1.25V @ 150mA |
|---|---|
| الجهد - العاصمة عكسي (VR) (ماكس): | 100V |
| تجار الأجهزة حزمة: | DFN1006-2 |
| سرعة: | Fast Recovery = 200mA (Io) |
| سلسلة: | - |
| عكس وقت الاسترداد (TRR): | 4ns |
| التعبئة والتغليف: | Tape & Reel (TR) |
| حزمة / كيس: | SOD-882 |
| اسماء اخرى: | 1727-4232-2 568-4859-2 568-4859-2-ND 934057247315 BAS16L T/R BAS16L T/R-ND BAS16L,315-ND |
| درجة حرارة التشغيل - تقاطع: | 150°C (Max) |
| تصاعد نوع: | Surface Mount |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع الجزء رقم: | BAS16L,315 |
| وصف موسع: | Diode Standard 100V 215mA (DC) Surface Mount DFN1006-2 |
| نوع الصمام الثنائي: | Standard |
| وصف: | DIODE GEN PURP 100V 215MA SOD882 |
| التيار - عكس تسرب @ الواقع الافتراضي: | 500nA @ 80V |
| الحالي - متوسط مصحح (أيو): | 215mA (DC) |
| السعة @ الواقع الافتراضي، F: | 1.5pF @ 0V, 1MHz |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لBAS16L,315
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
BAS16VY/ZLH | Nexperia USA Inc. | DIODE ARRAY GEN PURP 100V SOT363 | تحقيق |
 |
BAS16QAZ | Nexperia USA Inc. | DIODE GP 100V 290MA DFN1010D-3 | تحقيق |
 |
BAS16VV,115 | Nexperia USA Inc. | DIODE ARRAY GP 100V 200MA SOT666 | تحقيق |
 |
BAS16,215 | Nexperia USA Inc. | DIODE GEN PURP 100V 215MA SOT23 | تحقيق |
 |
BAS16H,115 | Nexperia USA Inc. | DIODE GEN PURP 100V 215MA SOD123 | تحقيق |
|
BAS16VY,125 | Nexperia USA Inc. | DIODE ARRAY GP 100V 200MA 6TSSOP | تحقيق |
|
BAS16VY/ZLZ | Nexperia USA Inc. | DIODE ARRAY GEN PURP 100V SOT363 | تحقيق |
 |
BAS16W,115 | Nexperia USA Inc. | DIODE GEN PURP 100V 175MA SOT323 | تحقيق |
 |
BAS16J,115 | Nexperia USA Inc. | DIODE GEN PURP 100V 250MA SOD323 | تحقيق |
|
BAS16WF | Nexperia USA Inc. | DIODE GEN PURP 100V 175MA SOT323 | تحقيق |
|
BAS16VY/ZLX | Nexperia USA Inc. | DIODE ARRAY GEN PURP 100V SOT363 | تحقيق |
 |
BAS16LD,315 | Nexperia USA Inc. | DIODE GP 100V 215MA SOD882D | تحقيق |
|
BAS16VY,165 | Nexperia USA Inc. | DIODE ARRAY GP 100V 200MA 6TSSOP | تحقيق |
|
BAS16J,135 | Nexperia USA Inc. | DIODE GEN PURP 100V 250MA SOD323 | تحقيق |
|
BAS16VY,135 | Nexperia USA Inc. | DIODE ARRAY GP 100V 200MA 6TSSOP | تحقيق |
|
BAS16VY/ZLF | Nexperia USA Inc. | DIODE ARRAY GEN PURP 100V SOT363 | تحقيق |
|
BAS16,235 | Nexperia USA Inc. | DIODE GEN PURP 100V 215MA SOT23 | تحقيق |
|
BAS16VY,115 | Nexperia USA Inc. | DIODE ARRAY GP 100V 200MA 6TSSOP | تحقيق |
 |
FR6JR02 | GeneSiC Semiconductor | DIODE GEN PURP REV 600V 6A DO4 | تحقيق |
Latest الأخبار
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI to reduce costs in Wireless business; OMAP™ processors and wireless connectivity solutions will focus on embedded markets
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers