يشترى ATP613-TL-H مع BYCHPS
شراء مع ضمان
ATP613-TL-H
- رقم القطعة:
- ATP613-TL-H
- وصف:
- MOSFET N-CH 500V 5.5A ATPAK
- حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- الكمية المتوفرة:
- 17111 Pieces
- ورقة البيانات:
- ATP613-TL-H.pdf
المقدمة
BYCHIPS هو الموزع تخزين ل ATP613-TL-H ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك ATP613-TL-H عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
مواصفات
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد: | - |
|---|---|
| تكنولوجيا: | MOSFET (Metal Oxide) |
| تجار الأجهزة حزمة: | ATPAK |
| سلسلة: | - |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS: | 2 Ohm @ 2.75A, 10V |
| تبديد الطاقة (ماكس): | 70W (Tc) |
| التعبئة والتغليف: | Tape & Reel (TR) |
| حزمة / كيس: | ATPAK (2 leads+tab) |
| درجة حرارة التشغيل: | 150°C (TJ) |
| تصاعد نوع: | Surface Mount |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع الجزء رقم: | ATP613-TL-H |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس: | 350pF @ 30V |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس: | 13.8nC @ 10V |
| نوع FET: | N-Channel |
| FET الميزة: | - |
| وصف موسع: | N-Channel 500V 5.5A (Ta) 70W (Tc) Surface Mount ATPAK |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss): | 500V |
| وصف: | MOSFET N-CH 500V 5.5A ATPAK |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C: | 5.5A (Ta) |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لATP613-TL-H
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
FDP8880 | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 30V 54A TO-220AB | تحقيق |
 |
IXFN34N80 | IXYS | MOSFET N-CH 800V 34A SOT-227B | تحقيق |
 |
IRF6610TR1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 20V 15A DIRECTFET | تحقيق |
 |
RJK5034DPP-E0#T2 | Renesas Electronics America | MOSFET N-CH 500V 1.2A TO220 | تحقيق |
 |
IRFD9210 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 200V 0.4A 4-DIP | تحقيق |
 |
APT51F50J | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 500V 51A SOT-227 | تحقيق |
 |
IXTA52P10P | IXYS | MOSFET P-CH 100V 52A TO-263 | تحقيق |
 |
IPD16CNE8N G | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 85V 53A TO252-3 | تحقيق |
 |
IRFR024TRR | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 60V 14A DPAK | تحقيق |
 |
BUK9508-55A,127 | NXP USA Inc. | MOSFET N-CH 55V 75A TO220AB | تحقيق |
 |
EPC2019ENG | EPC | TRANS GAN 200V 8.5A BUMPED DIE | تحقيق |
 |
SIHP25N40D-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 400V 25A TO-220AB | تحقيق |
 |
RSD200N10TL | Rohm Semiconductor | MOSFET N-CH 100V 20A CPT3 | تحقيق |
|
IRF6631TR1PBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 13A DIRECTFET | تحقيق |
 |
R6007KNJTL | Rohm Semiconductor | MOSFET N-CH 600V 7A TO263-3 | تحقيق |
 |
IRF6662TR1PBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 8.3A DIRECTFET | تحقيق |
 |
IRFP17N50L | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 500V 16A TO-247AC | تحقيق |
 |
IRL3715STRRPBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 20V 54A D2PAK | تحقيق |
|
SUM36N20-54P-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 200V 36A D2PAK | تحقيق |
 |
IRF3315 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 150V 27A TO-220AB | تحقيق |
Latest الأخبار
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI to reduce costs in Wireless business; OMAP™ processors and wireless connectivity solutions will focus on embedded markets
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers