APTM100VDA35T3G
رقم القطعة:
APTM100VDA35T3G
الصانع:
Microsemi
وصف:
MOSFET 2N-CH 1000V 22A SP3
حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
الكمية المتوفرة:
17996 Pieces
ورقة البيانات:
APTM100VDA35T3G.pdf

المقدمة

BYCHIPS هو الموزع تخزين ل APTM100VDA35T3G ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك APTM100VDA35T3G عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
يشترى APTM100VDA35T3G مع BYCHPS
شراء مع ضمان

مواصفات

VGS (ال) (ماكس) @ إيد:5V @ 2.5mA
تجار الأجهزة حزمة:SP3
سلسلة:POWER MOS 7®
RDS على (ماكس) @ إيد، VGS:420 mOhm @ 11A, 10V
السلطة - ماكس:390W
التعبئة والتغليف:Bulk
حزمة / كيس:SP3
درجة حرارة التشغيل:-40°C ~ 150°C (TJ)
تصاعد نوع:Chassis Mount
مستوى حساسية الرطوبة (مسل):1 (Unlimited)
الصانع الجزء رقم:APTM100VDA35T3G
مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس:5200pF @ 25V
غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس:186nC @ 10V
نوع FET:2 N-Channel (Dual)
FET الميزة:Standard
وصف موسع:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 1000V (1kV) 22A 390W Chassis Mount SP3
استنزاف لجهد المصدر (Vdss):1000V (1kV)
وصف:MOSFET 2N-CH 1000V 22A SP3
الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C:22A
Email:[email protected]

سريع طلب اقتباس

رقم القطعة
كمية
شركة
البريد الإلكتروني
هاتف
تعليقات