APTC90H12T2G
رقم القطعة:
APTC90H12T2G
الصانع:
Microsemi
وصف:
MOSFET 4N-CH 900V 30A SP2
حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
الكمية المتوفرة:
18989 Pieces
ورقة البيانات:
APTC90H12T2G.pdf

المقدمة

BYCHIPS هو الموزع تخزين ل APTC90H12T2G ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك APTC90H12T2G عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
يشترى APTC90H12T2G مع BYCHPS
شراء مع ضمان

مواصفات

VGS (ال) (ماكس) @ إيد:3.5V @ 3mA
تجار الأجهزة حزمة:SP2
سلسلة:CoolMOS™
RDS على (ماكس) @ إيد، VGS:120 mOhm @ 26A, 10V
السلطة - ماكس:250W
التعبئة والتغليف:Tray
حزمة / كيس:SP2
درجة حرارة التشغيل:-40°C ~ 150°C (TJ)
تصاعد نوع:Chassis Mount
مستوى حساسية الرطوبة (مسل):1 (Unlimited)
الصانع الجزء رقم:APTC90H12T2G
مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس:6800pF @ 100V
غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس:270nC @ 10V
نوع FET:4 N-Channel (H-Bridge)
FET الميزة:Super Junction
وصف موسع:Mosfet Array 4 N-Channel (H-Bridge) 900V 30A 250W Chassis Mount SP2
استنزاف لجهد المصدر (Vdss):900V
وصف:MOSFET 4N-CH 900V 30A SP2
الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C:30A
Email:[email protected]

سريع طلب اقتباس

رقم القطعة
كمية
شركة
البريد الإلكتروني
هاتف
تعليقات