يشترى APT75GN120B2G مع BYCHPS
شراء مع ضمان
APT75GN120B2G
- رقم القطعة:
- APT75GN120B2G
- الصانع:
- Microsemi
- وصف:
- IGBT 1200V 200A 833W TMAX
- حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- الكمية المتوفرة:
- 15472 Pieces
- ورقة البيانات:
- 1.APT75GN120B2G.pdf2.APT75GN120B2G.pdf
المقدمة
BYCHIPS هو الموزع تخزين ل APT75GN120B2G ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك APT75GN120B2G عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
مواصفات
| الجهد - جامع باعث انهيار (ماكس): | 1200V |
|---|---|
| VCE (على) (ماكس) @ Vge، جيم: | 2.1V @ 15V, 75A |
| اختبار حالة: | 800V, 75A, 1 Ohm, 15V |
| تد (تشغيل / إيقاف) @ 25 ° C: | 60ns/620ns |
| تحويل الطاقة: | 8045µJ (on), 7640µJ (off) |
| سلسلة: | - |
| السلطة - ماكس: | 833W |
| التعبئة والتغليف: | Tube |
| حزمة / كيس: | TO-247-3 Variant |
| درجة حرارة التشغيل: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| تصاعد نوع: | Through Hole |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع الجزء رقم: | APT75GN120B2G |
| نوع المدخلات: | Standard |
| نوع IGBT: | Trench Field Stop |
| بوابة المسؤول: | 425nC |
| وصف موسع: | IGBT Trench Field Stop 1200V 200A 833W Through Hole |
| وصف: | IGBT 1200V 200A 833W TMAX |
| الحالي - جامع نابض (آي سي إم): | 225A |
| الحالي - جامع (IC) (ماكس): | 200A |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لAPT75GN120B2G
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
APT75GN120JDQ3G | Microsemi Corporation | IGBT 1200V 124A 379W SOT227 | تحقيق |
 |
APT75M50B2 | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 500V 75A T-MAX | تحقيق |
|
APT75GT120JU2 | Microsemi Corporation | IGBT 1200V 100A 416W SOT227 | تحقيق |
 |
APT75DL120HJ | Microsemi Corporation | MOD DIODE 1200V SOT-227 | تحقيق |
|
APT75GP120JDQ3 | Microsemi Corporation | IGBT 1200V 128A 543W SOT227 | تحقيق |
|
APT75GN120J | Microsemi Corporation | IGBT 1200V 124A 379W SOT227 | تحقيق |
 |
APT75F50L | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 500V 75A TO-264 | تحقيق |
 |
APT75GN120LG | Microsemi Corporation | IGBT 1200V 200A 833W TO264 | تحقيق |
|
APT75GN120JDQ3 | Microsemi Corporation | IGBT 1200V 124A 379W SOT227 | تحقيق |
|
APT75GN60B2DQ3G | Microsemi Corporation | IGBT 600V 155A 536W TO264 | تحقيق |
 |
APT75DQ60BG | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 600V 75A TO247 | تحقيق |
Latest الأخبار
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog