يشترى AFT18H357-24NR6 مع BYCHPS
شراء مع ضمان
AFT18H357-24NR6
- رقم القطعة:
- AFT18H357-24NR6
- وصف:
- IC TRANS RF LDMOS
- حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- الكمية المتوفرة:
- 18956 Pieces
- ورقة البيانات:
- 1.AFT18H357-24NR6.pdf2.AFT18H357-24NR6.pdf
المقدمة
BYCHIPS هو الموزع تخزين ل AFT18H357-24NR6 ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك AFT18H357-24NR6 عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
مواصفات
| الجهد - اختبار: | 28V |
|---|---|
| الجهد - تقييمه: | 65V |
| نوع الترانزستور: | LDMOS (Dual) |
| تجار الأجهزة حزمة: | OM-1230-4L2L |
| سلسلة: | - |
| مخرج قوي: | 63W |
| التعبئة والتغليف: | Tape & Reel (TR) |
| حزمة / كيس: | OM-1230-4L2L |
| اسماء اخرى: | 935312802528 |
| الضوضاء الشكل: | - |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 3 (168 Hours) |
| الصانع المهلة القياسية: | 10 Weeks |
| الصانع الجزء رقم: | AFT18H357-24NR6 |
| ربح: | 17.5dB |
| تردد: | 1.81GHz |
| وصف موسع: | RF Mosfet LDMOS (Dual) 28V 800mA 1.81GHz 17.5dB 63W OM-1230-4L2L |
| وصف: | IC TRANS RF LDMOS |
| التصويت الحالي: | - |
| الحالي - اختبار: | 800mA |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لAFT18H357-24NR6
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
AFT18S260W31SR3 | NXP USA Inc. | IC TRANS RF LDMOS | تحقيق |
|
AFT18H356-24SR6 | NXP USA Inc. | FET RF 2CH 65V 1.88GHZ NI1230-4 | تحقيق |
 |
MRF8S21200HSR6 | NXP USA Inc. | FET RF 2CH 65V 2.14GHZ NI-1230HS | تحقيق |
|
AFT18H357-24SR6 | NXP USA Inc. | FET RF 2CH 65V 1.81GHZ NI1230-4 | تحقيق |
|
AFT18S230-12NR3 | NXP USA Inc. | IC TRANS RF LDMOS | تحقيق |
|
AFT18S230SR3 | NXP USA Inc. | FET RF 65V 1.88GHZ NI780S-6 | تحقيق |
 |
PTAC260302FCV1XWSA1 | Infineon Technologies | IC AMP RF LDMOS | تحقيق |
|
AFT18S260W31GSR3 | NXP USA Inc. | IC TRANS RF LDMOS | تحقيق |
|
AFT18S230SR5 | NXP USA Inc. | FET RF 65V 1.88GHZ NI780S-6 | تحقيق |
 |
PD84008S-E | STMicroelectronics | TRANS RF N-CH FET POWERSO-10RF | تحقيق |
|
AFT18S290-13SR3 | NXP USA Inc. | FET RF 65V 1.96GHZ NI-880X-2L4S | تحقيق |
|
AFT18P350-4S2LR6 | NXP USA Inc. | FET RF 2CH 65V 1.81GHZ NI1230 | تحقيق |
 |
PTFA080551F V1 | Infineon Technologies | IC FET RF LDMOS 55W H-37265-2 | تحقيق |
|
AFT18HW355SR6 | NXP USA Inc. | FET RF 2CH 65V 1.88GHZ NI1230S-4 | تحقيق |
|
AFT18HW355SR5 | NXP USA Inc. | FET RF 2CH 65V 1.88GHZ NI1230S-4 | تحقيق |
Latest الأخبار
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI to reduce costs in Wireless business; OMAP™ processors and wireless connectivity solutions will focus on embedded markets
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers