يشترى A2T09VD300NR1 مع BYCHPS
شراء مع ضمان
A2T09VD300NR1
- رقم القطعة:
- A2T09VD300NR1
- وصف:
- IC TRANS RF LDMOS
- حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- الكمية المتوفرة:
- 16638 Pieces
- ورقة البيانات:
- A2T09VD300NR1.pdf
المقدمة
BYCHIPS هو الموزع تخزين ل A2T09VD300NR1 ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك A2T09VD300NR1 عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
مواصفات
| الجهد - اختبار: | 48V |
|---|---|
| الجهد - تقييمه: | 105V |
| نوع الترانزستور: | LDMOS (Dual) |
| تجار الأجهزة حزمة: | TO-270WB-6A |
| سلسلة: | - |
| مخرج قوي: | 79W |
| التعبئة والتغليف: | Tape & Reel (TR) |
| حزمة / كيس: | TO-270-6 Variant, Flat Leads |
| اسماء اخرى: | 935316219528 |
| الضوضاء الشكل: | - |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع المهلة القياسية: | 10 Weeks |
| الصانع الجزء رقم: | A2T09VD300NR1 |
| ربح: | 21.5dB |
| تردد: | 920MHz |
| وصف موسع: | RF Mosfet LDMOS (Dual) 48V 1.2A 920MHz 21.5dB 79W TO-270WB-6A |
| وصف: | IC TRANS RF LDMOS |
| التصويت الحالي: | - |
| الحالي - اختبار: | 1.2A |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لA2T09VD300NR1
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
CGH60015D | Cree/Wolfspeed | RF MOSFET HEMT 28V DIE | تحقيق |
 |
MRF8S9200NR3 | NXP USA Inc. | FET RF 70V 940MHZ OM780-2 | تحقيق |
 |
MRF7S21080HR3 | NXP USA Inc. | FET RF 65V 2.17GHZ NI-780 | تحقيق |
|
A2T09VD250NR1 | NXP USA Inc. | IC TRANS RF LDMOS | تحقيق |
 |
PTFA070601EV4XWSA1 | Infineon Technologies | FET RF LDMOS 60W H36265-2 | تحقيق |
 |
BLF1043,112 | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 65V 18.5DB SOT538A | تحقيق |
|
MRF6S19120HSR3 | NXP USA Inc. | FET RF 68V 1.99GHZ NI-780S | تحقيق |
 |
MRF1513NT1 | NXP USA Inc. | FET RF 40V 520MHZ PLD-1.5 | تحقيق |
 |
PTFA211801F V4 | Infineon Technologies | IC FET RF LDMOS 180W H-37260-2 | تحقيق |
 |
ATF-36077-STR | Broadcom Limited | FET RF 3V 12GHZ 77-SMD | تحقيق |
Latest الأخبار
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog