70V3579S6DR
70V3579S6DR
رقم القطعة:
70V3579S6DR
الصانع:
IDT (Integrated Device Technology)
وصف:
IC SRAM 1.125MBIT 6NS 208QFP
حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
يحتوي الرصاص / بنفايات غير متوافقة
الكمية المتوفرة:
17850 Pieces
ورقة البيانات:
1.70V3579S6DR.pdf2.70V3579S6DR.pdf

المقدمة

BYCHIPS هو الموزع تخزين ل 70V3579S6DR ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك 70V3579S6DR عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
يشترى 70V3579S6DR مع BYCHPS
شراء مع ضمان

مواصفات

الجهد - توريد:3.15 V ~ 3.45 V
تجار الأجهزة حزمة:208-PQFP (28x28)
سرعة:6ns
سلسلة:-
التعبئة والتغليف:Tray
حزمة / كيس:208-BFQFP
اسماء اخرى:IDT70V3579S6DR
IDT70V3579S6DR-ND
درجة حرارة التشغيل:0°C ~ 70°C (TA)
مستوى حساسية الرطوبة (مسل):3 (168 Hours)
نوع الذاكرة:Volatile
حجم الذاكرة:1.125Mb (32K x 36)
تنسيق الذاكرة:SRAM
الصانع المهلة القياسية:7 Weeks
الصانع الجزء رقم:70V3579S6DR
السطح البيني:Parallel
وصف:IC SRAM 1.125MBIT 6NS 208QFP
Email:[email protected]

سريع طلب اقتباس

رقم القطعة
كمية
شركة
البريد الإلكتروني
هاتف
تعليقات