يشترى 3135GN-100M مع BYCHPS
شراء مع ضمان
3135GN-100M
- رقم القطعة:
- 3135GN-100M
- الصانع:
- Microsemi
- وصف:
- TRANSISTOR GAN 55-QP
- حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- الكمية المتوفرة:
- 19151 Pieces
- ورقة البيانات:
- 3135GN-100M.pdf
المقدمة
BYCHIPS هو الموزع تخزين ل 3135GN-100M ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك 3135GN-100M عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
مواصفات
| الجهد - اختبار: | - |
|---|---|
| الجهد - تقييمه: | - |
| نوع الترانزستور: | - |
| تجار الأجهزة حزمة: | - |
| سلسلة: | - |
| مخرج قوي: | - |
| التعبئة والتغليف: | - |
| حزمة / كيس: | - |
| الضوضاء الشكل: | - |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع الجزء رقم: | 3135GN-100M |
| ربح: | - |
| تردد: | - |
| وصف موسع: | RF Mosfet |
| وصف: | TRANSISTOR GAN 55-QP |
| التصويت الحالي: | - |
| الحالي - اختبار: | - |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة ل3135GN-100M
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
BLF6G27-75,112 | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 65V SOT502A | تحقيق |
 |
BLF8G22LS-240J | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 65V 19DB SOT502B | تحقيق |
 |
3SK263-5-TG-E | ON Semiconductor | FET RF 15V 200MHZ CP4 | تحقيق |
 |
BF245C_D74Z | Fairchild/ON Semiconductor | JFET N-CH 30V 25MA TO92 | تحقيق |
 |
3135GN-170M | Microsemi Corporation | FETS RF GAN 150V 3.1-3.5GHZ 55QP | تحقيق |
 |
PTFA190451FV4XWSA1 | Infineon Technologies | IC FET RF LDMOS 45W H-37265-2 | تحقيق |
 |
MRF8S8260HR3 | NXP USA Inc. | FET RF 70V 895MHZ NI880 | تحقيق |
 |
MRF6S24140HSR3 | NXP USA Inc. | FET RF 68V 2.39GHZ NI-88OS | تحقيق |
 |
SPF-3143 | RFMD | IC TRANS PHEMT 10GHZ SOT-343 | تحقيق |
|
BLF7G22LS-200,118 | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 65V 18.5DB SOT502B | تحقيق |
 |
BLF8G09LS-270GWQ | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 65V 20DB SOT1244C | تحقيق |
 |
ARF460BG | Microsemi Corporation | FET RF N-CH 500V 14A TO247 | تحقيق |
 |
BF556C,215 | NXP USA Inc. | JFET N-CH 30V 18MA SOT23 | تحقيق |
Latest الأخبار
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog