2SK3666-2-TB-E - ON Semiconductor - الترانزستورات - جفيتس 2SK3666-2-TB-E

2SK3666-2-TB-E

رقم القطعة:: 2SK3666-2-TB-E

الصانع:: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

وصف:: JFET NCH 30V 200MW 3CP

حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:: الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة

الكمية المتوفرة:: 19195 Pieces

ورقة البيانات:: 2SK3666-2-TB-E.pdf

تحقيق

المقدمة

BYCHIPS هو الموزع تخزين ل 2SK3666-2-TB-E ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك 2SK3666-2-TB-E عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.

يشترى 2SK3666-2-TB-E مع BYCHPS

شراء مع ضمان

مواصفات

الجهد - القطع (VGS إيقاف) @ إيد:	180mV @ 1µA
تجار الأجهزة حزمة:	3-CP
سلسلة:	-
المقاومة - RDS (على):	200 Ohm
السلطة - ماكس:	200mW
التعبئة والتغليف:	Tape & Reel (TR)
حزمة / كيس:	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
اسماء اخرى:	2SK3666-2-TB-E-ND 2SK3666-2-TB-EOSTR
درجة حرارة التشغيل:	150°C (TJ)
تصاعد نوع:	Surface Mount
مستوى حساسية الرطوبة (مسل):	1 (Unlimited)
الصانع المهلة القياسية:	4 Weeks
الصانع الجزء رقم:	2SK3666-2-TB-E
مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس:	4pF @ 10V
نوع FET:	N-Channel
وصف موسع:	JFET N-Channel 600µA @ 10V 200mW Surface Mount 3-CP
استنزاف لجهد المصدر (Vdss):	30V
وصف:	JFET NCH 30V 200MW 3CP
الصرف الحالي (رقم) - الحد الأقصى:	10mA
الحالي - هجرة (فاعلية النظام) @ VDS (VGS = 0):	600µA @ 10V
Email:	[email protected]

قطع الغيار ذات الصلة ل2SK3666-2-TB-E

رقم القطعة	مصنعين	وصف	رأي
2SK3666-4-TB-E	ON Semiconductor	JFET N-CH 30V 0.2W CP	تحقيق
2N5545JTX01	Vishay Siliconix	JFET N-CH 50V TO-71	تحقيق
2SK3666-3-TB-E	ON Semiconductor	JFET N-CH 10MA 200MW 3CP	تحقيق
TF202THC-3-TL-H	ON Semiconductor	JFET N-CH 1MA 100MW VTFP	تحقيق

المقدمة

مواصفات

سريع طلب اقتباس

Latest الأخبار