2SK3557-6-TB-E - ON Semiconductor - الترانزستورات - فيتس، موسيتس - رف 2SK3557-6-TB-E

2SK3557-6-TB-E

رقم القطعة:: 2SK3557-6-TB-E

الصانع:: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

وصف:: JFET N-CH 15V 50MA SOT23

حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:: الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة

الكمية المتوفرة:: 13670 Pieces

ورقة البيانات:: 2SK3557-6-TB-E.pdf

تحقيق

المقدمة

BYCHIPS هو الموزع تخزين ل 2SK3557-6-TB-E ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك 2SK3557-6-TB-E عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.

يشترى 2SK3557-6-TB-E مع BYCHPS

شراء مع ضمان

مواصفات

الجهد - اختبار:	5V
الجهد - تقييمه:	15V
نوع الترانزستور:	N-Channel JFET
تجار الأجهزة حزمة:	3-CP
سلسلة:	-
مخرج قوي:	200mW
التعبئة والتغليف:	Tape & Reel (TR)
حزمة / كيس:	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
اسماء اخرى:	2SK3557-6-TB-E-ND 2SK3557-6-TB-EOSTR
الضوضاء الشكل:	1dB
مستوى حساسية الرطوبة (مسل):	1 (Unlimited)
الصانع المهلة القياسية:	6 Weeks
الصانع الجزء رقم:	2SK3557-6-TB-E
ربح:	-
تردد:	1kHz
وصف موسع:	RF Mosfet N-Channel JFET 5V 1mA 1kHz 200mW 3-CP
وصف:	JFET N-CH 15V 50MA SOT23
التصويت الحالي:	50mA
الحالي - اختبار:	1mA
Email:	[email protected]

قطع الغيار ذات الصلة ل2SK3557-6-TB-E

رقم القطعة	مصنعين	وصف	رأي
MRF8S21140HR3	NXP USA Inc.	FET RF 65V 2.14GHZ NI780	تحقيق
PD57006TR-E	STMicroelectronics	TRANSISTOR RF POWERSO-10	تحقيق
PTFA092201EV4R0XTMA1	Infineon Technologies	RF MOSFET LDMOS 30V H-36260-2	تحقيق
NPTB00004A	M/A-Com Technology Solutions	HEMT N-CH 28V 5W DC-6GHZ 8SOIC	تحقيق
MRF151A	M/A-Com Technology Solutions	FET RF N-CH 50V 150W P-244	تحقيق
PTVA042502FCV1R0XTMA1	Infineon Technologies	IC AMP RF LDMOS H-37248-4	تحقيق
2SK3557-7-TB-E	ON Semiconductor	JFET N-CH 15V 50MA SOT23	تحقيق
BLA1011-300,112	Ampleon USA Inc.	RF FET LDMOS 65V 16DB SOT957A	تحقيق
ATF-35143-BLKG	Broadcom Limited	FET RF 5.5V 2GHZ SOT-343	تحقيق
A2T18S160W31SR3	NXP USA Inc.	IC TRANS RF LDMOS	تحقيق
MMRF1310HR5	NXP USA Inc.	FET RF 2CH 133V 230MHZ NI780	تحقيق

المقدمة

مواصفات

سريع طلب اقتباس

Latest الأخبار