2SK1119(F)
رقم القطعة:
2SK1119(F)
الصانع:
Toshiba Semiconductor
وصف:
MOSFET N-CH 1000V 4A TO-220AB
حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
الكمية المتوفرة:
12200 Pieces
ورقة البيانات:
1.2SK1119(F).pdf2.2SK1119(F).pdf

المقدمة

BYCHIPS هو الموزع تخزين ل 2SK1119(F) ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك 2SK1119(F) عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
يشترى 2SK1119(F) مع BYCHPS
شراء مع ضمان

مواصفات

VGS (ال) (ماكس) @ إيد:3.5V @ 1mA
تكنولوجيا:MOSFET (Metal Oxide)
تجار الأجهزة حزمة:TO-220AB
سلسلة:-
RDS على (ماكس) @ إيد، VGS:3.8 Ohm @ 2A, 10V
تبديد الطاقة (ماكس):100W (Tc)
التعبئة والتغليف:Tube
حزمة / كيس:TO-220-3
درجة حرارة التشغيل:150°C (TJ)
تصاعد نوع:Through Hole
مستوى حساسية الرطوبة (مسل):1 (Unlimited)
الصانع الجزء رقم:2SK1119(F)
مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس:700pF @ 25V
غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس:60nC @ 10V
نوع FET:N-Channel
FET الميزة:-
وصف موسع:N-Channel 1000V (1kV) 4A (Ta) 100W (Tc) Through Hole TO-220AB
استنزاف لجهد المصدر (Vdss):1000V (1kV)
وصف:MOSFET N-CH 1000V 4A TO-220AB
الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C:4A (Ta)
Email:[email protected]

سريع طلب اقتباس

رقم القطعة
كمية
شركة
البريد الإلكتروني
هاتف
تعليقات