275X2-102N06A-00 - IXYS - الترانزستورات - فيتس، موسيتس - رف 275X2-102N06A-00

275X2-102N06A-00

رقم القطعة:: 275X2-102N06A-00

الصانع:: IXYS Corporation

وصف:: RF MOSFET 2N-CHANNEL DE275

الكمية المتوفرة:: 15943 Pieces

ورقة البيانات:: 275X2-102N06A-00.pdf

تحقيق

المقدمة

BYCHIPS هو الموزع تخزين ل 275X2-102N06A-00 ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك 275X2-102N06A-00 عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.

يشترى 275X2-102N06A-00 مع BYCHPS

شراء مع ضمان

مواصفات

الجهد - اختبار:	-
الجهد - تقييمه:	1000V
نوع الترانزستور:	2 N-Channel (Dual)
تجار الأجهزة حزمة:	DE275
سلسلة:	DE
مخرج قوي:	1180W
التعبئة والتغليف:	Tube
حزمة / كيس:	8-SMD, Flat Lead Exposed Pad
اسماء اخرى:	275X2-102N06A
الضوضاء الشكل:	-
مستوى حساسية الرطوبة (مسل):	1 (Unlimited)
الصانع المهلة القياسية:	10 Weeks
الصانع الجزء رقم:	275X2-102N06A-00
ربح:	-
تردد:	100MHz
وصف موسع:	RF Mosfet 2 N-Channel (Dual) 100MHz 1180W DE275
وصف:	RF MOSFET 2N-CHANNEL DE275
التصويت الحالي:	1mA
الحالي - اختبار:	-
Email:	[email protected]

قطع الغيار ذات الصلة ل275X2-102N06A-00

رقم القطعة	مصنعين	وصف	رأي
MRF8S7170NR3	NXP USA Inc.	FET RF 70V 748MHZ OM780-2	تحقيق
275X2-501N16A-00	IXYS	RF MOSFET 2N-CHANNEL DE275	تحقيق
MRF8S9100HR3	NXP USA Inc.	FET RF 70V 920MHZ NI-780	تحقيق
BLA1011-2,112	Ampleon USA Inc.	RF FET LDMOS 75V 16DB SOT538A	تحقيق
BLP8G05S-200Y	Ampleon USA Inc.	RF FET LDMOS 65V 21DB SOT11382	تحقيق
MRF8S26120HR3	NXP USA Inc.	FET RF 65V 2.69GHZ NI780	تحقيق
BLF6G10-160RN,112	Ampleon USA Inc.	RF FET LDMOS 65V 22.5DB SOT502A	تحقيق
MRF5S19090HSR5	NXP USA Inc.	FET RF 65V 1.99GHZ NI-780S	تحقيق
PTVA123501FCV1R0XTMA1	Infineon Technologies	IC AMP RF LDMOS H-37248-2	تحقيق
MAGX-000035-01500P	M/A-Com Technology Solutions	FET RF 65V 3.5GHZ 14DFN	تحقيق

المقدمة

مواصفات

سريع طلب اقتباس

Latest الأخبار