العربية
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Suomi Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Nederland Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Kongeriket Dansk Svenska✕
معلومات عنا | اتصل بنا | اطلب اقتباس |
الصفحة الرئيسية > منتجات > منتجات أشباه الموصلات المنفصلة > الثنائيات الصمامات--واحد > 1N6622US
1N6622US
رقم القطعة:
1N6622US
الصانع:
Microsemi
وصف:
DIODE GEN PURP 660V 1.2A A-MELF
حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
يحتوي الرصاص / بنفايات غير متوافقة
الكمية المتوفرة:
14509 Pieces
ورقة البيانات:
1N6622US.pdf
تحقيق

المقدمة

BYCHIPS هو الموزع تخزين ل 1N6622US ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك 1N6622US عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
يشترى 1N6622US مع BYCHPS
شراء مع ضمان

مواصفات

الجهد - إلى الأمام (فودافون) (ماكس) @ إذا:1.4V @ 1.2A
الجهد - العاصمة عكسي (VR) (ماكس):660V
تجار الأجهزة حزمة:A-MELF
سرعة:Fast Recovery = 200mA (Io)
سلسلة:-
عكس وقت الاسترداد (TRR):30ns
التعبئة والتغليف:Bulk
حزمة / كيس:SQ-MELF, A
درجة حرارة التشغيل - تقاطع:-65°C ~ 150°C
تصاعد نوع:Surface Mount
مستوى حساسية الرطوبة (مسل):1 (Unlimited)
الصانع المهلة القياسية:17 Weeks
الصانع الجزء رقم:1N6622US
وصف موسع:Diode Standard 660V 1.2A Surface Mount A-MELF
نوع الصمام الثنائي:Standard
وصف:DIODE GEN PURP 660V 1.2A A-MELF
التيار - عكس تسرب @ الواقع الافتراضي:500nA @ 660V
الحالي - متوسط ​​مصحح (أيو):1.2A
السعة @ الواقع الافتراضي، F:10pF @ 10V, 1MHz
Email:[email protected]

سريع طلب اقتباس

رقم القطعة
كمية
شركة
البريد الإلكتروني
هاتف
تعليقات

قطع الغيار ذات الصلة ل1N6622US

صورة رقم القطعة مصنعين وصف رأي
1N6628US Image 1N6628US Microsemi Corporation DIODE GEN PURP 660V 1.75A A-MELF تحقيق
1N6620US Microsemi Corporation DIODE GEN PURP 220V 1.2A A-MELF تحقيق
1N6622 Image 1N6622 Microsemi Corporation DIODE GEN PURP 600V 1.2A AXIAL تحقيق
1N6629 Image 1N6629 Microsemi Corporation DIODE GEN PURP 880V 1.4A AXIAL تحقيق
1N6625 Image 1N6625 Microsemi Corporation DIODE GEN PURP 1.1KV 1A AXIAL تحقيق
1N6624 Microsemi Corporation DIODE GEN PURP 990V 1A A-PAK تحقيق
1N6626US Image 1N6626US Microsemi Corporation DIODE GEN PURP 220V 1.75A A-MELF تحقيق
1N6625E3 Image 1N6625E3 Microsemi Corporation DIODE GEN PURP 1.1KV 1A AXIAL تحقيق
1N6621 Image 1N6621 Microsemi Corporation DIODE GEN PURP 440V 1.2A AXIAL تحقيق
1N6627US Image 1N6627US Microsemi Corporation DIODE GEN PURP 440V 1.75A A-MELF تحقيق
1N6627 Image 1N6627 Microsemi Corporation DIODE GEN PURP 440V 1.75A AXIAL تحقيق
1N6628 Image 1N6628 Microsemi Corporation DIODE GEN PURP 600V 1.75A AXIAL تحقيق
1N6625US Image 1N6625US Microsemi Corporation DIODE GEN PURP 1.1KV 1A A-MELF تحقيق
1N6626 Image 1N6626 Microsemi Corporation DIODE GEN PURP 220V 1.75A AXIAL تحقيق
1N6623 Image 1N6623 Microsemi Corporation DIODE GEN PURP 880V 1A AXIAL تحقيق
1N6623US Microsemi Corporation DIODE GEN PURP 880V 1A A-MELF تحقيق
1N6620 Image 1N6620 Microsemi Corporation DIODE GEN PURP 220V 1.2A AXIAL تحقيق
1N6624US Microsemi Corporation DIODE GEN PURP 990V 1A A-MELF تحقيق
1N6621US Microsemi Corporation DIODE GEN PURP 440V 1.2A A-MELF تحقيق

Latest الأخبار