1N6484HE3/96
1N6484HE3/96
رقم القطعة:
1N6484HE3/96
الصانع:
Vishay / Semiconductor - Diodes Division
وصف:
DIODE GEN PURP 1KV 1A DO213AB
حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
الكمية المتوفرة:
12120 Pieces
ورقة البيانات:
1.1N6484HE3/96.pdf2.1N6484HE3/96.pdf

المقدمة

BYCHIPS هو الموزع تخزين ل 1N6484HE3/96 ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك 1N6484HE3/96 عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
يشترى 1N6484HE3/96 مع BYCHPS
شراء مع ضمان

مواصفات

الجهد - إلى الأمام (فودافون) (ماكس) @ إذا:1.1V @ 1A
الجهد - العاصمة عكسي (VR) (ماكس):1000V (1kV)
تجار الأجهزة حزمة:DO-213AB
سرعة:Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
سلسلة:SUPERECTIFIER®
التعبئة والتغليف:Tape & Reel (TR)
حزمة / كيس:DO-213AB, MELF (Glass)
درجة حرارة التشغيل - تقاطع:-65°C ~ 175°C
تصاعد نوع:Surface Mount
مستوى حساسية الرطوبة (مسل):1 (Unlimited)
الصانع المهلة القياسية:21 Weeks
الصانع الجزء رقم:1N6484HE3/96
وصف موسع:Diode Standard 1000V (1kV) 1A Surface Mount DO-213AB
نوع الصمام الثنائي:Standard
وصف:DIODE GEN PURP 1KV 1A DO213AB
التيار - عكس تسرب @ الواقع الافتراضي:10µA @ 1000V
الحالي - متوسط ​​مصحح (أيو):1A
السعة @ الواقع الافتراضي، F:8pF @ 4V, 1MHz
Email:[email protected]

سريع طلب اقتباس

رقم القطعة
كمية
شركة
البريد الإلكتروني
هاتف
تعليقات