يشترى 1N6076US مع BYCHPS
شراء مع ضمان
1N6076US
- رقم القطعة:
- 1N6076US
- الصانع:
- Microsemi
- وصف:
- DIODE GEN PURP 50V 6A D5B
- حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
- يحتوي الرصاص / بنفايات غير متوافقة
- الكمية المتوفرة:
- 14807 Pieces
- ورقة البيانات:
- 1N6076US.pdf
المقدمة
BYCHIPS هو الموزع تخزين ل 1N6076US ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك 1N6076US عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
مواصفات
| الجهد - إلى الأمام (فودافون) (ماكس) @ إذا: | 1.76V @ 18.8A |
|---|---|
| الجهد - العاصمة عكسي (VR) (ماكس): | 50V |
| تجار الأجهزة حزمة: | D-5B |
| سرعة: | Fast Recovery = 200mA (Io) |
| سلسلة: | - |
| عكس وقت الاسترداد (TRR): | 30ns |
| التعبئة والتغليف: | Bulk |
| حزمة / كيس: | SQ-MELF, E |
| درجة حرارة التشغيل - تقاطع: | -65°C ~ 155°C |
| تصاعد نوع: | Surface Mount |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع الجزء رقم: | 1N6076US |
| وصف موسع: | Diode Standard 50V 6A Surface Mount D-5B |
| نوع الصمام الثنائي: | Standard |
| وصف: | DIODE GEN PURP 50V 6A D5B |
| التيار - عكس تسرب @ الواقع الافتراضي: | 5µA @ 50V |
| الحالي - متوسط مصحح (أيو): | 6A |
| السعة @ الواقع الافتراضي، F: | - |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة ل1N6076US
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
1N6070 | Microsemi Corporation | TVS DIODE 155VWM 292VC DO13 | تحقيق |
|
1N6075US | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 150V 3A D5A | تحقيق |
|
1N6074US | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 100V 3A D5A | تحقيق |
 |
1N6074 | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 100V 850MA AXIAL | تحقيق |
 |
1N6071A | Microsemi Corporation | TVS DIODE 170VWM 294VC DO13 | تحقيق |
|
1N6072 | Microsemi Corporation | TVS DIODE 175VWM 344VC DO13 | تحقيق |
|
1N6078 | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 150V 1.3A AXIAL | تحقيق |
|
1N6078US | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 150V 6A D5B | تحقيق |
|
1N6079US | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 50V 2A G-MELF | تحقيق |
|
1N6073 | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 50V 850MA AXIAL | تحقيق |
|
1N6079 | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 50V 2A AXIAL | تحقيق |
|
1N6076 | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 50V 1.3A AXIAL | تحقيق |
|
1N6072A | Microsemi Corporation | TVS DIODE 185VWM 328VC DO13 | تحقيق |
|
1N6077US | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 100V 6A D5B | تحقيق |
|
1N6075 | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 150V 850MA AXIAL | تحقيق |
|
1N6071 | Microsemi Corporation | TVS DIODE 165VWM 308VC DO13 | تحقيق |
|
1N6077 | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 100V 1.3A AXIAL | تحقيق |
|
1N6070A | Microsemi Corporation | TVS DIODE 160VWM 278VC DO13 | تحقيق |
|
1N6073US | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 50V 3A D5A | تحقيق |
Latest الأخبار
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI to reduce costs in Wireless business; OMAP™ processors and wireless connectivity solutions will focus on embedded markets
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers