يشترى 1N5819HW1-7-F مع BYCHPS
شراء مع ضمان
1N5819HW1-7-F
- رقم القطعة:
- 1N5819HW1-7-F
- الصانع:
- Diodes Incorporated
- وصف:
- DIODE RECT SB 40V 1A SOD123F
- حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- الكمية المتوفرة:
- 18429 Pieces
- ورقة البيانات:
- 1N5819HW1-7-F.pdf
المقدمة
BYCHIPS هو الموزع تخزين ل 1N5819HW1-7-F ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك 1N5819HW1-7-F عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
مواصفات
| الجهد - إلى الأمام (فودافون) (ماكس) @ إذا: | 510mV @ 1A |
|---|---|
| الجهد - العاصمة عكسي (VR) (ماكس): | 40V |
| تجار الأجهزة حزمة: | SOD-123F |
| سرعة: | Fast Recovery = 200mA (Io) |
| سلسلة: | SBR® |
| عكس وقت الاسترداد (TRR): | 15ns |
| التعبئة والتغليف: | Tape & Reel (TR) |
| حزمة / كيس: | SOD-123F |
| اسماء اخرى: | 1N5819HW1-7-F-ND |
| درجة حرارة التشغيل - تقاطع: | -55°C ~ 125°C |
| تصاعد نوع: | Surface Mount |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع الجزء رقم: | 1N5819HW1-7-F |
| وصف موسع: | Diode Super Barrier 40V 1A Surface Mount SOD-123F |
| نوع الصمام الثنائي: | Super Barrier |
| وصف: | DIODE RECT SB 40V 1A SOD123F |
| التيار - عكس تسرب @ الواقع الافتراضي: | 500µA @ 40V |
| الحالي - متوسط مصحح (أيو): | 1A |
| السعة @ الواقع الافتراضي، F: | 30pF @ 10V, 1MHz |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة ل1N5819HW1-7-F
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
1N5819-B | Diodes Incorporated | DIODE SCHOTTKY 40V 1A DO41 | تحقيق |
|
1N5818-T | Diodes Incorporated | DIODE SCHOTTKY 30V 1A DO41 | تحقيق |
 |
1N5817M-13 | Diodes Incorporated | DIODE SCHOTTKY 20V 1A MELF | تحقيق |
 |
1N5819HW-7 | Diodes Incorporated | DIODE SCHOTTKY 40V 1A SOD123 | تحقيق |
 |
STF10100 | SMC Diode Solutions | DIODE SCHOTTKY 100V ITO220AC | تحقيق |
|
1N5819-T | Diodes Incorporated | DIODE SCHOTTKY 40V 1A DO41 | تحقيق |
|
1N5819HW-7-F | Diodes Incorporated | DIODE SCHOTTKY 40V 1A SOD123 | تحقيق |
|
1N5819M-13 | Diodes Incorporated | DIODE SCHOTTKY 40V 1A MELF | تحقيق |
|
1N5818M-13 | Diodes Incorporated | DIODE SCHOTTKY 30V 1A MELF | تحقيق |
 |
1N5819HW-13 | Diodes Incorporated | DIODE SCHOTTKY 40V 1A SOD123 | تحقيق |
 |
RL101-N-2-4-AP | Micro Commercial Co | DIODE GEN PURP 50V 1A A-405 | تحقيق |
|
1N5817-B | Diodes Incorporated | DIODE SCHOTTKY 20V 1A DO41 | تحقيق |
|
1N5818-B | Diodes Incorporated | DIODE SCHOTTKY 30V 1A DO41 | تحقيق |
|
1N5817-T | Diodes Incorporated | DIODE SCHOTTKY 20V 1A DO41 | تحقيق |
Latest الأخبار
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog