1N1189R
رقم القطعة:
1N1189R
الصانع:
GeneSiC Semiconductor
وصف:
DIODE GEN PURP REV 600V 35A DO5
حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
الكمية المتوفرة:
17622 Pieces
ورقة البيانات:
1.1N1189R.pdf2.1N1189R.pdf

المقدمة

BYCHIPS هو الموزع تخزين ل 1N1189R ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك 1N1189R عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
يشترى 1N1189R مع BYCHPS
شراء مع ضمان

مواصفات

الجهد - إلى الأمام (فودافون) (ماكس) @ إذا:1.2V @ 35A
الجهد - العاصمة عكسي (VR) (ماكس):600V
تجار الأجهزة حزمة:DO-5
سرعة:Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
سلسلة:-
التعبئة والتغليف:Bulk
حزمة / كيس:DO-203AB, DO-5, Stud
اسماء اخرى:1N1189RGN
درجة حرارة التشغيل - تقاطع:-65°C ~ 190°C
تصاعد نوع:Chassis, Stud Mount
مستوى حساسية الرطوبة (مسل):1 (Unlimited)
الصانع المهلة القياسية:10 Weeks
الصانع الجزء رقم:1N1189R
وصف موسع:Diode Standard, Reverse Polarity 600V 35A Chassis, Stud Mount DO-5
نوع الصمام الثنائي:Standard, Reverse Polarity
وصف:DIODE GEN PURP REV 600V 35A DO5
التيار - عكس تسرب @ الواقع الافتراضي:10µA @ 50V
الحالي - متوسط ​​مصحح (أيو):35A
السعة @ الواقع الافتراضي، F:-
Email:[email protected]

سريع طلب اقتباس

رقم القطعة
كمية
شركة
البريد الإلكتروني
هاتف
تعليقات