يشترى ZXMP3A16N8TA مع BYCHPS
شراء مع ضمان
ZXMP3A16N8TA
- رقم القطعة:
- ZXMP3A16N8TA
- الصانع:
- Diodes Incorporated
- وصف:
- MOSFET P-CH 30V 5.6A 8-SOIC
- حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- الكمية المتوفرة:
- 19064 Pieces
- ورقة البيانات:
- ZXMP3A16N8TA.pdf
المقدمة
BYCHIPS هو الموزع تخزين ل ZXMP3A16N8TA ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك ZXMP3A16N8TA عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
مواصفات
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد: | 1V @ 250µA |
|---|---|
| فغس (ماكس): | ±20V |
| تكنولوجيا: | MOSFET (Metal Oxide) |
| تجار الأجهزة حزمة: | 8-SO |
| سلسلة: | - |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS: | 40 mOhm @ 4.2A, 10V |
| تبديد الطاقة (ماكس): | 1.9W (Ta) |
| التعبئة والتغليف: | Tape & Reel (TR) |
| حزمة / كيس: | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| اسماء اخرى: | ZXMP3A16N8TR |
| درجة حرارة التشغيل: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| تصاعد نوع: | Surface Mount |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع المهلة القياسية: | 12 Weeks |
| الصانع الجزء رقم: | ZXMP3A16N8TA |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس: | 1022pF @ 15V |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس: | 29.6nC @ 10V |
| نوع FET: | P-Channel |
| FET الميزة: | - |
| وصف موسع: | P-Channel 30V 5.6A (Ta) 1.9W (Ta) Surface Mount 8-SO |
| محرك الجهد (ماكس رديز على، دقيقة رديز على): | 4.5V, 10V |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss): | 30V |
| وصف: | MOSFET P-CH 30V 5.6A 8-SOIC |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C: | 5.6A (Ta) |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لZXMP3A16N8TA
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
ZXMP3A13FTA | Diodes Incorporated | MOSFET P-CH 30V 1.4A SOT23-3 | تحقيق |
|
ZXMP3F30FHTA | Diodes Incorporated | MOSFET P-CH 30V 2.8A SOT23 | تحقيق |
 |
IXKP10N60C5 | IXYS | MOSFET N-CH 600V 10A TO220AB | تحقيق |
 |
ZXMP3A16DN8TA | Diodes Incorporated | MOSFET 2P-CH 30V 4.2A 8-SOIC | تحقيق |
 |
RJK1003DPP-E0#T2 | Renesas Electronics America | MOSFET N-CH 100V 50A TO220 | تحقيق |
|
ZXMP3F35N8TA | Diodes Incorporated | MOSFET P-CH 30V 9.3A 8SO | تحقيق |
 |
ZXMP3A17E6TA | Diodes Incorporated | MOSFET P-CH 30V 3.2A SOT-23-6 | تحقيق |
|
ZXMP3A17DN8TA | Diodes Incorporated | MOSFET 2P-CH 30V 3.4A 8-SOIC | تحقيق |
 |
ZXMP3A16GTA | Diodes Incorporated | MOSFET P-CH 30V 4.6A SOT223 | تحقيق |
|
ZXMP3F37DN8TA | Diodes Incorporated | MOSFET 2P-CH 30V 5.7A 8SO | تحقيق |
 |
IRF510L | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 100V 5.6A TO-262 | تحقيق |
|
ZXMP3F36N8TA | Diodes Incorporated | MOSFET P-CH 30V 7.2A 8SO | تحقيق |
|
ZXMP3F37N8TA | Diodes Incorporated | MOSFET P-CH 30V 6.4A 8SOP | تحقيق |
Latest الأخبار
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI to reduce costs in Wireless business; OMAP™ processors and wireless connectivity solutions will focus on embedded markets
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers