TPH3202PD
TPH3202PD
رقم القطعة:
TPH3202PD
الصانع:
Transphorm
وصف:
GAN FET 600V 9A TO220
حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
الكمية المتوفرة:
18733 Pieces
ورقة البيانات:
TPH3202PD.pdf

المقدمة

BYCHIPS هو الموزع تخزين ل TPH3202PD ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك TPH3202PD عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
يشترى TPH3202PD مع BYCHPS
شراء مع ضمان

مواصفات

VGS (ال) (ماكس) @ إيد:2.5V @ 250µA
فغس (ماكس):±18V
تكنولوجيا:GaNFET (Gallium Nitride)
تجار الأجهزة حزمة:TO-220
سلسلة:-
RDS على (ماكس) @ إيد، VGS:350 mOhm @ 5.5A, 8V
تبديد الطاقة (ماكس):65W (Tc)
التعبئة والتغليف:Tube
حزمة / كيس:TO-220-3
درجة حرارة التشغيل:-55°C ~ 175°C (TJ)
تصاعد نوع:Through Hole
مستوى حساسية الرطوبة (مسل):1 (Unlimited)
الصانع المهلة القياسية:10 Weeks
الصانع الجزء رقم:TPH3202PD
مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس:760pF @ 480V
غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس:9.3nC @ 4.5V
نوع FET:N-Channel
FET الميزة:-
وصف موسع:N-Channel 600V 9A (Tc) 65W (Tc) Through Hole TO-220
محرك الجهد (ماكس رديز على، دقيقة رديز على):-
استنزاف لجهد المصدر (Vdss):600V
وصف:GAN FET 600V 9A TO220
الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C:9A (Tc)
Email:[email protected]

سريع طلب اقتباس

رقم القطعة
كمية
شركة
البريد الإلكتروني
هاتف
تعليقات