STW28N60DM2
STW28N60DM2
رقم القطعة:
STW28N60DM2
الصانع:
ST
وصف:
MOSFET N-CH 600V 21A
حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
الكمية المتوفرة:
18608 Pieces
ورقة البيانات:
STW28N60DM2.pdf

المقدمة

BYCHIPS هو الموزع تخزين ل STW28N60DM2 ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك STW28N60DM2 عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
يشترى STW28N60DM2 مع BYCHPS
شراء مع ضمان

مواصفات

VGS (ال) (ماكس) @ إيد:5V @ 250µA
فغس (ماكس):±25V
تكنولوجيا:MOSFET (Metal Oxide)
تجار الأجهزة حزمة:TO-247
سلسلة:MDmesh™ DM2
RDS على (ماكس) @ إيد، VGS:160 mOhm @ 10.5A, 10V
تبديد الطاقة (ماكس):170W (Tc)
التعبئة والتغليف:Tube
حزمة / كيس:TO-247-3
اسماء اخرى:497-16350-5
درجة حرارة التشغيل:-55°C ~ 150°C (TJ)
تصاعد نوع:Through Hole
مستوى حساسية الرطوبة (مسل):1 (Unlimited)
الصانع المهلة القياسية:24 Weeks
الصانع الجزء رقم:STW28N60DM2
مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس:1500pF @ 100V
غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس:34nC @ 10V
نوع FET:N-Channel
FET الميزة:-
وصف موسع:N-Channel 600V 21A (Tc) 170W (Tc) Through Hole TO-247
محرك الجهد (ماكس رديز على، دقيقة رديز على):10V
استنزاف لجهد المصدر (Vdss):600V
وصف:MOSFET N-CH 600V 21A
الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C:21A (Tc)
Email:[email protected]

سريع طلب اقتباس

رقم القطعة
كمية
شركة
البريد الإلكتروني
هاتف
تعليقات