يشترى STW12NK60Z مع BYCHPS
شراء مع ضمان
STW12NK60Z
- رقم القطعة:
- STW12NK60Z
- الصانع:
- ST
- وصف:
- MOSFET N-CH 600V 10A TO-247
- حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- الكمية المتوفرة:
- 13997 Pieces
- ورقة البيانات:
- STW12NK60Z.pdf
المقدمة
BYCHIPS هو الموزع تخزين ل STW12NK60Z ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك STW12NK60Z عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
مواصفات
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد: | 4.5V @ 100µA |
|---|---|
| تكنولوجيا: | MOSFET (Metal Oxide) |
| تجار الأجهزة حزمة: | TO-247-3 |
| سلسلة: | SuperMESH™ |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS: | 640 mOhm @ 5A, 10V |
| تبديد الطاقة (ماكس): | 150W (Tc) |
| التعبئة والتغليف: | Tube |
| حزمة / كيس: | TO-247-3 |
| اسماء اخرى: | 497-10995-5 STW12NK60Z-ND |
| درجة حرارة التشغيل: | 150°C (TJ) |
| تصاعد نوع: | Through Hole |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع الجزء رقم: | STW12NK60Z |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس: | 1740pF @ 25V |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس: | 59nC @ 10V |
| نوع FET: | N-Channel |
| FET الميزة: | - |
| وصف موسع: | N-Channel 600V 10A (Tc) 150W (Tc) Through Hole TO-247-3 |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss): | 600V |
| وصف: | MOSFET N-CH 600V 10A TO-247 |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C: | 10A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لSTW12NK60Z
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
IRLU024NPBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 55V 17A I-PAK | تحقيق |
 |
NTD20N06LT4G | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 60V 20A DPAK | تحقيق |
 |
STW12N150K5 | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 1500V 7A TO-247 | تحقيق |
|
STW12N120K5 | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 1200V 12A TO247 | تحقيق |
|
STW12NM60N | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 600V 10A TO-247 | تحقيق |
 |
IRFP254 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 250V 23A TO-247AC | تحقيق |
 |
EPC2014 | EPC | TRANS GAN 40V 10A BUMPED DIE | تحقيق |
 |
DMP1022UFDF-13 | Diodes Incorporated | MOSFET P-CH 12V 9.5A 6UDFN | تحقيق |
 |
IPB09N03LA G | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 25V 50A D2PAK | تحقيق |
|
STW12NK90Z | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 900V 11A TO-247 | تحقيق |
|
STW12NK95Z | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 950V 10A TO-247 | تحقيق |
|
STW120NF10 | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 100V 110A TO-247 | تحقيق |
 |
IRFBC20PBF | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 600V 2.2A TO-220AB | تحقيق |
 |
CSD23285F5 | Texas Instruments | MOSFET P-CH 12V | تحقيق |
 |
BUK766R0-60E,118 | Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 60V 75A D2PAK | تحقيق |
 |
IRF520NLPBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 9.7A TO-262 | تحقيق |
|
STW12NK80Z | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 800V 10.5A TO-247 | تحقيق |
 |
IXTQ470P2 | IXYS | MOSFET N-CH 500V 42A TO3P | تحقيق |
 |
SIHA12N50E-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 500V 10.5A TO-220FP | تحقيق |
 |
APT5025BN | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 500V 23A TO247AD | تحقيق |
Latest الأخبار
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI to reduce costs in Wireless business; OMAP™ processors and wireless connectivity solutions will focus on embedded markets
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers