يشترى STP150N3LLH6 مع BYCHPS
شراء مع ضمان
STP150N3LLH6
- رقم القطعة:
- STP150N3LLH6
- الصانع:
- ST
- وصف:
- MOSFET N-CH 30V 80A TO220
- حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- الكمية المتوفرة:
- 14367 Pieces
- ورقة البيانات:
- STP150N3LLH6.pdf
المقدمة
BYCHIPS هو الموزع تخزين ل STP150N3LLH6 ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك STP150N3LLH6 عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
مواصفات
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد: | 2.5V @ 250µA |
|---|---|
| تكنولوجيا: | MOSFET (Metal Oxide) |
| تجار الأجهزة حزمة: | TO-220AB |
| سلسلة: | DeepGATE™, STripFET™ VI |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS: | 3.3 mOhm @ 40A, 10V |
| تبديد الطاقة (ماكس): | 110W (Tc) |
| التعبئة والتغليف: | Tube |
| حزمة / كيس: | TO-220-3 |
| اسماء اخرى: | 497-9097-5 |
| درجة حرارة التشغيل: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| تصاعد نوع: | Through Hole |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع الجزء رقم: | STP150N3LLH6 |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس: | 4040pF @ 25V |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس: | 40nC @ 4.5V |
| نوع FET: | N-Channel |
| FET الميزة: | - |
| وصف موسع: | N-Channel 30V 80A (Tc) 110W (Tc) Through Hole TO-220AB |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss): | 30V |
| وصف: | MOSFET N-CH 30V 80A TO220 |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C: | 80A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لSTP150N3LLH6
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
STP15N65M5 | STMicroelectronics | MOSFET N CH 650V 11A TO220 | تحقيق |
|
STP15NM60N | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 600V 14A TO-220 | تحقيق |
 |
IRF5805TRPBF | Infineon Technologies | MOSFET P-CH 30V 3.8A 6-TSOP | تحقيق |
|
STP150NF04 | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 40V 80A TO-220 | تحقيق |
|
STP15N80K5 | STMicroelectronics | MOSFET N CH 800V 14A TO-220 | تحقيق |
|
STP150N10F7 | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 100V 110A TO-220 | تحقيق |
|
STP15NM65N | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 650V 12A TO-220 | تحقيق |
|
STP15NM60ND | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 600V 14A TO-220 | تحقيق |
|
STP150NF55 | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 55V 120A TO-220 | تحقيق |
 |
STP15N60M2-EP | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 600V 11A EP TO220AB | تحقيق |
 |
TK42A12N1,S4X | Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET N-CH 120V 42A TO-220 | تحقيق |
 |
IXFH50N60P3 | IXYS | MOSFET N-CH 600V 50A TO247 | تحقيق |
 |
STP15NK50Z | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 500V 14A TO-220 | تحقيق |
 |
IXTY01N80 | IXYS | MOSFET N-CH 800V 0.1A TO-252AA | تحقيق |
 |
DMT6018LDR-7 | Diodes Incorporated | MOSFET BVDSS: 41V 60V V-DFN3030- | تحقيق |
|
STP15N95K5 | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 950V 12A TO220 | تحقيق |
 |
STP15NK50ZFP | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 500V 14A TO-220FP | تحقيق |
Latest الأخبار
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI to reduce costs in Wireless business; OMAP™ processors and wireless connectivity solutions will focus on embedded markets
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers