العربية
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Suomi Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Nederland Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Kongeriket Dansk Svenska✕
معلومات عنا | اتصل بنا | اطلب اقتباس |
الصفحة الرئيسية > منتجات > منتجات أشباه الموصلات المنفصلة > الترانزستورات - فيتس، موسيتس - واحدة > STL190N4F7AG
STL190N4F7AG
STL190N4F7AG
رقم القطعة:
STL190N4F7AG
الصانع:
ST
وصف:
POWER TRANSISTORS
حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
الكمية المتوفرة:
16454 Pieces
ورقة البيانات:
STL190N4F7AG.pdf
تحقيق

المقدمة

BYCHIPS هو الموزع تخزين ل STL190N4F7AG ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك STL190N4F7AG عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
يشترى STL190N4F7AG مع BYCHPS
شراء مع ضمان

مواصفات

VGS (ال) (ماكس) @ إيد:4V @ 250µA
فغس (ماكس):±20V
تكنولوجيا:MOSFET (Metal Oxide)
تجار الأجهزة حزمة:PowerFlat™ (5x6)
سلسلة:*
RDS على (ماكس) @ إيد، VGS:2 mOhm @ 17.5A, 10V
تبديد الطاقة (ماكس):127W (Tc)
التعبئة والتغليف:Tape & Reel (TR)
حزمة / كيس:8-PowerVDFN
اسماء اخرى:497-16678-2
درجة حرارة التشغيل:-55°C ~ 175°C (TJ)
تصاعد نوع:Surface Mount
مستوى حساسية الرطوبة (مسل):1 (Unlimited)
الصانع المهلة القياسية:22 Weeks
الصانع الجزء رقم:STL190N4F7AG
مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس:3000pF @ 25V
غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس:41nC @ 10V
نوع FET:N-Channel
FET الميزة:-
وصف موسع:N-Channel 40V 120A (Tc) 127W (Tc) Surface Mount PowerFlat™ (5x6)
محرك الجهد (ماكس رديز على، دقيقة رديز على):10V
استنزاف لجهد المصدر (Vdss):40V
وصف:POWER TRANSISTORS
الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C:120A (Tc)
Email:[email protected]

سريع طلب اقتباس

رقم القطعة
كمية
شركة
البريد الإلكتروني
هاتف
تعليقات

قطع الغيار ذات الصلة لSTL190N4F7AG

صورة رقم القطعة مصنعين وصف رأي
STL19N60M2 STMicroelectronics MOSFET NCH 600V 11A POWERFLAT تحقيق
STL19N65M5 Image STL19N65M5 STMicroelectronics MOSFET N-CH 650V 12.5A POWERFLAT تحقيق
CTLDM7120-M621H TR Image CTLDM7120-M621H TR Central Semiconductor Corp MOSFET N-CH 20V 1A تحقيق
IRF7805PBF Image IRF7805PBF Infineon Technologies MOSFET N-CH 30V 13A 8-SOIC تحقيق
BSL307SP Image BSL307SP Infineon Technologies MOSFET P-CH 30V 5.5A 6-TSOP تحقيق
PMZ130UNEYL Image PMZ130UNEYL Nexperia USA Inc. MOSFET N-CH 20V SOT883 تحقيق
STL19N60DM2 Image STL19N60DM2 STMicroelectronics N-CHANNEL 600 V, 0.28 OHM TYP., تحقيق
SUD50N04-05L-E3 Image SUD50N04-05L-E3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 40V 115A TO252 تحقيق
IXTK170P10P Image IXTK170P10P IXYS MOSFET P-CH 100V 170A TO-264 تحقيق
BSP324L6327HTSA1 Image BSP324L6327HTSA1 Infineon Technologies MOSFET N-CH 400V 170MA SOT-223 تحقيق
SQJA62EP-T1_GE3 Image SQJA62EP-T1_GE3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 60V 60A SO8 تحقيق
RRS100N03TB1 Image RRS100N03TB1 Rohm Semiconductor MOSFET N-CH 30V 10A 8-SOIC تحقيق
SUD50N10-18P-E3 Image SUD50N10-18P-E3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 100V 8.2A TO252 تحقيق
IPB011N04NGATMA1 Image IPB011N04NGATMA1 Infineon Technologies MOSFET N-CH 40V 180A TO263-7 تحقيق
IXTK102N30P Image IXTK102N30P IXYS MOSFET N-CH 300V 102A TO-264 تحقيق
IXFX64N50P Image IXFX64N50P IXYS MOSFET N-CH 500V 64A PLUS247 تحقيق
PMN48XP,115 Image PMN48XP,115 Nexperia USA Inc. MOSFET P-CH 20V 4.1A 6TSOP تحقيق
STP10NK70Z Image STP10NK70Z STMicroelectronics MOSFET N-CH 700V 8.6A TO-220 تحقيق
CSD13381F4 Texas Instruments MOSFET N-CH 12V 2.1A 3PICOSTAR تحقيق
IRLIZ14G Image IRLIZ14G Vishay Siliconix MOSFET N-CH 60V 8A TO220FP تحقيق

Latest الأخبار