STH360N4F6-2
STH360N4F6-2
رقم القطعة:
STH360N4F6-2
الصانع:
ST
وصف:
MOSFET N-CH 40V 180A H2PAK-2
حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
الكمية المتوفرة:
16251 Pieces
ورقة البيانات:
STH360N4F6-2.pdf

المقدمة

BYCHIPS هو الموزع تخزين ل STH360N4F6-2 ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك STH360N4F6-2 عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
يشترى STH360N4F6-2 مع BYCHPS
شراء مع ضمان

مواصفات

VGS (ال) (ماكس) @ إيد:4.5V @ 250µA
فغس (ماكس):±20V
تكنولوجيا:MOSFET (Metal Oxide)
تجار الأجهزة حزمة:H²PAK
سلسلة:DeepGATE™, STripFET™ VI
RDS على (ماكس) @ إيد، VGS:1.25 mOhm @ 60A, 10V
تبديد الطاقة (ماكس):300W (Tc)
التعبئة والتغليف:Original-Reel®
حزمة / كيس:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab) Variant
اسماء اخرى:497-14535-6
درجة حرارة التشغيل:-55°C ~ 175°C (TJ)
تصاعد نوع:Surface Mount
مستوى حساسية الرطوبة (مسل):1 (Unlimited)
الصانع الجزء رقم:STH360N4F6-2
مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس:17930pF @ 25V
غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس:340nC @ 10V
نوع FET:N-Channel
FET الميزة:-
وصف موسع:N-Channel 40V 180A (Tc) 300W (Tc) Surface Mount H²PAK
محرك الجهد (ماكس رديز على، دقيقة رديز على):10V
استنزاف لجهد المصدر (Vdss):40V
وصف:MOSFET N-CH 40V 180A H2PAK-2
الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C:180A (Tc)
Email:[email protected]

سريع طلب اقتباس

رقم القطعة
كمية
شركة
البريد الإلكتروني
هاتف
تعليقات