STB100N10F7
STB100N10F7
رقم القطعة:
STB100N10F7
الصانع:
ST
وصف:
MOSFET N-CH 100V 80A D2PAK
حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
الكمية المتوفرة:
16624 Pieces
ورقة البيانات:
STB100N10F7.pdf

المقدمة

BYCHIPS هو الموزع تخزين ل STB100N10F7 ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك STB100N10F7 عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
يشترى STB100N10F7 مع BYCHPS
شراء مع ضمان

مواصفات

VGS (ال) (ماكس) @ إيد:4.5V @ 250µA
فغس (ماكس):±20V
تكنولوجيا:MOSFET (Metal Oxide)
تجار الأجهزة حزمة:D2PAK
سلسلة:DeepGATE™, STripFET™ VII
RDS على (ماكس) @ إيد، VGS:8 mOhm @ 40A, 10V
تبديد الطاقة (ماكس):150W (Tc)
التعبئة والتغليف:Original-Reel®
حزمة / كيس:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
اسماء اخرى:497-14527-6
درجة حرارة التشغيل:-55°C ~ 175°C (TJ)
تصاعد نوع:Surface Mount
مستوى حساسية الرطوبة (مسل):1 (Unlimited)
الصانع الجزء رقم:STB100N10F7
مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس:4369pF @ 50V
غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس:61nC @ 10V
نوع FET:N-Channel
FET الميزة:-
وصف موسع:N-Channel 100V 80A (Tc) 150W (Tc) Surface Mount D2PAK
محرك الجهد (ماكس رديز على، دقيقة رديز على):10V
استنزاف لجهد المصدر (Vdss):100V
وصف:MOSFET N-CH 100V 80A D2PAK
الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C:80A (Tc)
Email:[email protected]

سريع طلب اقتباس

رقم القطعة
كمية
شركة
البريد الإلكتروني
هاتف
تعليقات