SSM3J15FV,L3F
SSM3J15FV,L3F
رقم القطعة:
SSM3J15FV,L3F
الصانع:
Toshiba Semiconductor
وصف:
MOSFET P-CH 30V 0.1A VESM
حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
الكمية المتوفرة:
15664 Pieces
ورقة البيانات:
SSM3J15FV,L3F.pdf

المقدمة

BYCHIPS هو الموزع تخزين ل SSM3J15FV,L3F ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك SSM3J15FV,L3F عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
يشترى SSM3J15FV,L3F مع BYCHPS
شراء مع ضمان

مواصفات

VGS (ال) (ماكس) @ إيد:1.7V @ 100µA
فغس (ماكس):±20V
تكنولوجيا:MOSFET (Metal Oxide)
تجار الأجهزة حزمة:VESM
سلسلة:π-MOSVI
RDS على (ماكس) @ إيد، VGS:12 Ohm @ 10mA, 4V
تبديد الطاقة (ماكس):150mW (Ta)
التعبئة والتغليف:Tape & Reel (TR)
حزمة / كيس:SOT-723
اسماء اخرى:SSM3J15FV,L3F(B
SSM3J15FV,L3F(T
SSM3J15FVL3FTR
درجة حرارة التشغيل:-55°C ~ 150°C (TJ)
تصاعد نوع:Surface Mount
مستوى حساسية الرطوبة (مسل):1 (Unlimited)
الصانع المهلة القياسية:16 Weeks
الصانع الجزء رقم:SSM3J15FV,L3F
مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس:9.1pF @ 3V
غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس:-
نوع FET:P-Channel
FET الميزة:-
وصف موسع:P-Channel 30V 100mA (Ta) 150mW (Ta) Surface Mount VESM
محرك الجهد (ماكس رديز على، دقيقة رديز على):2.5V, 4V
استنزاف لجهد المصدر (Vdss):30V
وصف:MOSFET P-CH 30V 0.1A VESM
الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C:100mA (Ta)
Email:[email protected]

سريع طلب اقتباس

رقم القطعة
كمية
شركة
البريد الإلكتروني
هاتف
تعليقات