يشترى SQJ570EP-T1_GE3 مع BYCHPS
شراء مع ضمان
SQJ570EP-T1_GE3
- رقم القطعة:
- SQJ570EP-T1_GE3
- الصانع:
- Vishay / Siliconix
- وصف:
- MOSFET ARRAY N/P-CH 100V SO8
- حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- الكمية المتوفرة:
- 12174 Pieces
- ورقة البيانات:
- SQJ570EP-T1_GE3.pdf
المقدمة
BYCHIPS هو الموزع تخزين ل SQJ570EP-T1_GE3 ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك SQJ570EP-T1_GE3 عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
مواصفات
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد: | 2.5V @ 250µA |
|---|---|
| تجار الأجهزة حزمة: | PowerPAK® SO-8 Dual |
| سلسلة: | Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS: | 45 mOhm @ 6A, 10V, 146 mOhm @ 6A, 10V |
| السلطة - ماكس: | 27W |
| التعبئة والتغليف: | Tape & Reel (TR) |
| حزمة / كيس: | PowerPAK® SO-8 Dual |
| اسماء اخرى: | SQJ570EP-T1_GE3TR |
| درجة حرارة التشغيل: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| تصاعد نوع: | Surface Mount |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع المهلة القياسية: | 13 Weeks |
| الصانع الجزء رقم: | SQJ570EP-T1_GE3 |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس: | 650pF @ 25V, 600pF @ 25V |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس: | 20nC @ 10V, 15nC @ 10V |
| نوع FET: | N and P-Channel |
| FET الميزة: | Standard |
| وصف موسع: | Mosfet Array N and P-Channel 100V 15A (Tc), 9.5A (Tc) 27W Surface Mount PowerPAK® SO-8 Dual |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss): | 100V |
| وصف: | MOSFET ARRAY N/P-CH 100V SO8 |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C: | 15A (Tc), 9.5A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لSQJ570EP-T1_GE3
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
DMN2029USD-13 | Diodes Incorporated | MOSFET 2N-CH 20V 5.8A 8SO | تحقيق |
 |
SI5902BDC-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET 2N-CH 30V 4A 1206-8 | تحقيق |
 |
TPS1120D | Texas Instruments | MOSFET 2P-CH 15V 1.17A 8-SOIC | تحقيق |
 |
ECH8672-TL-H | ON Semiconductor | MOSFET 2P-CH 20V 3.5A ECH8 | تحقيق |
 |
BUK9K5R1-30EX | Nexperia USA Inc. | MOSFET 2N-CH 30V 40A 56LFPAK | تحقيق |
 |
NTLJD4116NT1G | ON Semiconductor | MOSFET 2N-CH 30V 2.5A 6-WDFN | تحقيق |
 |
SI7270DP-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET 2N-CH 30V 8A PPAK SO-8 | تحقيق |
 |
ALD111933SAL | Advanced Linear Devices Inc. | MOSFET 2N-CH 10.6V 8SOIC | تحقيق |
 |
SI4944DY-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET 2N-CH 30V 9.3A 8-SOIC | تحقيق |
|
ALD114804SCL | Advanced Linear Devices Inc. | MOSFET 4N-CH 10.6V 16SOIC | تحقيق |
 |
SI5517DU-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N/P-CH 20V 6A CHIPFET | تحقيق |
|
SI4923DY-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET 2P-CH 30V 6.2A 8-SOIC | تحقيق |
Latest الأخبار
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI to reduce costs in Wireless business; OMAP™ processors and wireless connectivity solutions will focus on embedded markets
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers