SIHW23N60E-GE3
SIHW23N60E-GE3
رقم القطعة:
SIHW23N60E-GE3
الصانع:
Vishay / Siliconix
وصف:
MOSFET N-CH 600V 23A TO-247AD
حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
الكمية المتوفرة:
13017 Pieces
ورقة البيانات:
SIHW23N60E-GE3.pdf

المقدمة

BYCHIPS هو الموزع تخزين ل SIHW23N60E-GE3 ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك SIHW23N60E-GE3 عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
يشترى SIHW23N60E-GE3 مع BYCHPS
شراء مع ضمان

مواصفات

VGS (ال) (ماكس) @ إيد:4V @ 250µA
تكنولوجيا:MOSFET (Metal Oxide)
تجار الأجهزة حزمة:TO-247AD
سلسلة:-
RDS على (ماكس) @ إيد، VGS:158 mOhm @ 12A, 10V
تبديد الطاقة (ماكس):227W (Tc)
التعبئة والتغليف:Tube
حزمة / كيس:TO-247-3
درجة حرارة التشغيل:-55°C ~ 150°C (TJ)
تصاعد نوع:Through Hole
مستوى حساسية الرطوبة (مسل):1 (Unlimited)
الصانع المهلة القياسية:19 Weeks
الصانع الجزء رقم:SIHW23N60E-GE3
مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس:2418pF @ 100V
غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس:95nC @ 10V
نوع FET:N-Channel
FET الميزة:-
وصف موسع:N-Channel 600V 23A (Tc) 227W (Tc) Through Hole TO-247AD
استنزاف لجهد المصدر (Vdss):600V
وصف:MOSFET N-CH 600V 23A TO-247AD
الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C:23A (Tc)
Email:[email protected]

سريع طلب اقتباس

رقم القطعة
كمية
شركة
البريد الإلكتروني
هاتف
تعليقات