SI7308DN-T1-GE3
SI7308DN-T1-GE3
رقم القطعة:
SI7308DN-T1-GE3
الصانع:
Vishay / Siliconix
وصف:
MOSFET N-CH 60V 6A 1212-8
حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
الكمية المتوفرة:
17211 Pieces
ورقة البيانات:
SI7308DN-T1-GE3.pdf

المقدمة

BYCHIPS هو الموزع تخزين ل SI7308DN-T1-GE3 ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك SI7308DN-T1-GE3 عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
يشترى SI7308DN-T1-GE3 مع BYCHPS
شراء مع ضمان

مواصفات

VGS (ال) (ماكس) @ إيد:3V @ 250µA
فغس (ماكس):±20V
تكنولوجيا:MOSFET (Metal Oxide)
تجار الأجهزة حزمة:PowerPAK® 1212-8
سلسلة:TrenchFET®
RDS على (ماكس) @ إيد، VGS:58 mOhm @ 5.4A, 10V
تبديد الطاقة (ماكس):3.2W (Ta), 19.8W (Tc)
التعبئة والتغليف:Original-Reel®
حزمة / كيس:PowerPAK® 1212-8
اسماء اخرى:SI7308DN-T1-GE3DKR
درجة حرارة التشغيل:-55°C ~ 150°C (TJ)
تصاعد نوع:Surface Mount
مستوى حساسية الرطوبة (مسل):1 (Unlimited)
الصانع المهلة القياسية:15 Weeks
الصانع الجزء رقم:SI7308DN-T1-GE3
مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس:665pF @ 15V
غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس:20nC @ 10V
نوع FET:N-Channel
FET الميزة:-
وصف موسع:N-Channel 60V 6A (Tc) 3.2W (Ta), 19.8W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8
محرك الجهد (ماكس رديز على، دقيقة رديز على):4.5V, 10V
استنزاف لجهد المصدر (Vdss):60V
وصف:MOSFET N-CH 60V 6A 1212-8
الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C:6A (Tc)
Email:[email protected]

سريع طلب اقتباس

رقم القطعة
كمية
شركة
البريد الإلكتروني
هاتف
تعليقات