SI5403DC-T1-GE3
SI5403DC-T1-GE3
رقم القطعة:
SI5403DC-T1-GE3
الصانع:
Vishay / Siliconix
وصف:
MOSFET P-CH 30V 6A 1206-8
حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
الكمية المتوفرة:
15326 Pieces
ورقة البيانات:
SI5403DC-T1-GE3.pdf

المقدمة

BYCHIPS هو الموزع تخزين ل SI5403DC-T1-GE3 ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك SI5403DC-T1-GE3 عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
يشترى SI5403DC-T1-GE3 مع BYCHPS
شراء مع ضمان

مواصفات

VGS (ال) (ماكس) @ إيد:3V @ 250µA
فغس (ماكس):±20V
تكنولوجيا:MOSFET (Metal Oxide)
تجار الأجهزة حزمة:1206-8 ChipFET™
سلسلة:TrenchFET®
RDS على (ماكس) @ إيد، VGS:30 mOhm @ 7.2A, 10V
تبديد الطاقة (ماكس):2.5W (Ta), 6.3W (Tc)
التعبئة والتغليف:Original-Reel®
حزمة / كيس:8-SMD, Flat Lead
اسماء اخرى:SI5403DC-T1-GE3DKR
درجة حرارة التشغيل:-55°C ~ 150°C (TJ)
تصاعد نوع:Surface Mount
مستوى حساسية الرطوبة (مسل):1 (Unlimited)
الصانع المهلة القياسية:24 Weeks
الصانع الجزء رقم:SI5403DC-T1-GE3
مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس:1340pF @ 15V
غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس:42nC @ 10V
نوع FET:P-Channel
FET الميزة:-
وصف موسع:P-Channel 30V 6A (Tc) 2.5W (Ta), 6.3W (Tc) Surface Mount 1206-8 ChipFET™
محرك الجهد (ماكس رديز على، دقيقة رديز على):4.5V, 10V
استنزاف لجهد المصدر (Vdss):30V
وصف:MOSFET P-CH 30V 6A 1206-8
الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C:6A (Tc)
Email:[email protected]

سريع طلب اقتباس

رقم القطعة
كمية
شركة
البريد الإلكتروني
هاتف
تعليقات