SI1035X-T1-GE3
SI1035X-T1-GE3
رقم القطعة:
SI1035X-T1-GE3
الصانع:
Vishay / Siliconix
وصف:
MOSFET N/P-CH 20V SC-89
حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
الكمية المتوفرة:
15739 Pieces
ورقة البيانات:
SI1035X-T1-GE3.pdf

المقدمة

BYCHIPS هو الموزع تخزين ل SI1035X-T1-GE3 ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك SI1035X-T1-GE3 عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
يشترى SI1035X-T1-GE3 مع BYCHPS
شراء مع ضمان

مواصفات

VGS (ال) (ماكس) @ إيد:400mV @ 250µA (Min)
تجار الأجهزة حزمة:SC-89-6
سلسلة:TrenchFET®
RDS على (ماكس) @ إيد، VGS:5 Ohm @ 200mA, 4.5V
السلطة - ماكس:250mW
التعبئة والتغليف:Tape & Reel (TR)
حزمة / كيس:SOT-563, SOT-666
اسماء اخرى:SI1035X-T1-GE3TR
SI1035XT1GE3
درجة حرارة التشغيل:-55°C ~ 150°C (TJ)
تصاعد نوع:Surface Mount
مستوى حساسية الرطوبة (مسل):1 (Unlimited)
الصانع المهلة القياسية:12 Weeks
الصانع الجزء رقم:SI1035X-T1-GE3
مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس:-
غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس:0.75nC @ 4.5V
نوع FET:N and P-Channel
FET الميزة:Logic Level Gate
وصف موسع:Mosfet Array N and P-Channel 20V 180mA, 145mA 250mW Surface Mount SC-89-6
استنزاف لجهد المصدر (Vdss):20V
وصف:MOSFET N/P-CH 20V SC-89
الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C:180mA, 145mA
Email:[email protected]

سريع طلب اقتباس

رقم القطعة
كمية
شركة
البريد الإلكتروني
هاتف
تعليقات